|
|
发表于 2007-9-6 23:01:28
|
显示全部楼层
来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴
0 i3 L. O# f9 _; Y(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)
( C% a6 Z; \( t摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体
& G' @9 L/ h; L8 O硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间
, ~9 Q; P6 r6 X% A, N' x: [7 ?和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化
6 z& l6 U: B8 E6 {6 ]: q度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %
) Y9 ?* [3 X0 o+ C& K2 R; d的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.5 X- M' I" l* @6 s/ L. h' I
关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)6 U: p$ S4 w, Z: U, }: Y. ?
PACC: 7340L ; 7360F ; 8115H
6 I. j# G6 \" e9 K8 C中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
评分
-
查看全部评分
|
