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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴4 U0 l( y. C) C) b: r d
(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)5 T! o8 R- y7 C* G# b4 X- c! l; `
摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体/ C2 B+ l1 M5 g/ l" W
硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间5 N: j+ D8 K k& _7 h+ F; N
和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化
) k( n7 N: X! o, W/ a$ B+ `度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %2 y4 g# X# z4 x' R$ g: U3 W
的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.
% \% L! U; U# y4 E关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)
% g s2 x; Z- g, cPACC: 7340L ; 7360F ; 8115H
* `3 p7 w0 w' S; {+ p, z) k) T中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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