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当硅晶体中掺入其他的杂质,如硼、磷等,当掺入硼时,硅晶体中就会存在着一个空穴,它的形成可以参照下图: 4 X* V# k/ [' S7 f" x$ d# t2 M
9 d6 F- i9 e. I8 Z8 l' ?) c 图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子,因为硼原子周围只有3个电子,所以就会产生入图所示的蓝色的空穴,这个空穴因为没有电子而变得很不稳定,容易吸收电子而中和,形成N型半导体。% z# B7 H+ V3 O, [
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同样,掺入磷原子以后,因为磷原子有五个电子,所以就会有一个电子变得非常活跃,形成P型半导体。黄色的为磷原子核,红色的为多余的电子。' r0 c ]" V. H. N
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N型半导体中含有较多的空穴,而P型半导体中含有较多的电子,这样,当P型和N型半导体结合在一起时,就会在接触面形成电势差,这就是PN结。(如下图) # G Z$ u# G! g* M0 r. c# O2 p! X0 |9 x