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溅射和真空镀气是利用物理现象的成膜方式。利用化学反应的代表性成膜方式为化学气相成膜法(CVD)。
$ T% y8 K9 N4 R! Y! _/ _* r溅射成膜法的特征
. a0 {! A" O# l1:成膜原材料粒子能量大、在基板上粘附力强、成膜牢固。
: X# a% x+ @; N! u( n2:对于合金或化合物的靶材、保持原材料组成不变也可以成膜。
9 N9 U& B5 z) O3:高熔点材料也可以成膜。
) Y0 r+ ]; z3 z9 Z/ r4:成膜厚度容易控制。 0 w1 ^3 w$ k5 l% o1 f
5:如果在成膜过程中导入反应性气体、则能合成氧化膜或氮化膜等。
9 g' P! h6 x8 Z9 f) O6:可以大面积均匀成膜。
2 g' S' F# E4 g4 g" ?, U7:如果把基板放到靶的位置上、则可以切削基板表面。' {. G. A7 z8 `/ [9 j1 G
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溅射成膜方式
, k: N, m$ n# O2 u3 G; z* T6 H8 N2 f- c/ f4 s6 w7 J: c+ X2 n3 o
. o' C( ~( F2 j* g5 G4 k
一、 DC溅射成膜1 ?( ] L4 G2 ?. |, N' |
原理 ) Q& t3 m h/ F {( S# a4 K2 p# _- o
) a; I- W: v1 N; y
1:成膜基板和膜靶材近距离配置。
" m# q+ J2 I* T* q0 D2:到达真空状态之后,在靶和基板之间加高电压。
' J+ w$ W$ M) x2 `3:电子和离子在高电压下高速运动,离子撞击靶材,高速运动的电子和离子与气体分子碰撞,产生更多的离子。
' M0 U, W: U" d" _: p, _4:离子撞击靶后,把靶材的粒子溅射出去。 * l& C) q; c( L
5:被溅射出来的靶材的粒子到达成膜基板上成膜。
7 b$ N$ e6 |! ~- v& G这是最初被采用的溅射成膜法。长处在于构造简单,但同时存在以下缺点:& u7 {1 O# y! s2 ]. B( \
1、发生辉光放电,设备的真空程度较差,残留气体影响较大。比如说成长的薄膜和残留气体发生化学反应,或薄膜中有气泡等。4 ?5 T8 _& t) C: U! R# f2 d9 }8 ]
3 Y/ Q8 L! f8 q6 ?$ I I' d
2、气体成为等离子体状态,基板也处在高温的等离子状态中。因为高温可能会损伤基板。 9 z( ^. U' T# [- H, j
( z: h9 u0 l" W( I8 k- I 3、原料(靶)是强绝缘体的时候,表面会有离子堆积,使放电中止。
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# l* \7 C6 `; c' F: Z% c0 s二、RF溅射+ l+ c2 ~7 { N" O
原理
5 L5 h& U# D) \' ^9 [1 K' `" \8 _* B% I/ q, Z' m% [
1:靶和成膜基板近距离配置。 " n/ A% ~- A5 M0 o6 I" _5 f+ M F
2:真空腔体和靶之间加高频率电压。 2 k0 |. L7 n/ ~" {7 }" }: c3 Q2 c
3:因为是交流电压,所以带电粒子的加速方向随电压而变。 + ^$ }- N9 I% T! ]' {+ h
4:因为电子比离子轻,容易移动。
. J V" x) h0 x. a1 K3 `5:靶一侧的电子没有流通渠道、使电子密度升高。 ( {- I9 ^1 {5 Y" P/ ]0 y4 }
6:高密度的电子使靶带有负电、会吸引更多的阳离子撞击靶。
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6 b& ^4 |$ w; l- F( J三、磁控溅射
; m5 Z+ `9 P' `8 R8 n: u9 w, M 原理 - O+ d2 l8 c2 P7 C8 ^7 g. w7 p/ ?
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1:成膜基板和靶近距离配置、靶材的后面安装有磁铁。
% T* U5 T9 h K2:加高电压之后诱发溅射。
+ }0 D; G/ H, [, `5 i# r* R/ Z* [3:因为靶周围有磁场、电子沿磁力线做螺旋运动。
$ p: i0 I# Z' O4:在螺旋运动电子的周围产生等离子状态、可进行高密度溅射。
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特征 ( Z3 f) d0 a- T1 T$ q6 \
; y; v8 m3 w, X8 M: X. \. @( e1、也可使用高频电源。 ( `+ a5 h6 I0 L
2、在成膜基板附近没有等离子状态、基板不受损伤。 0 i/ E% c$ }+ r
3、溅射量大。
2 C! k. b) h7 q' s" H, ?6 {( D/ }& ~3 W0 @5 h* m" m; ]
缺点
& G6 a/ U4 P$ @9 R 靶材的磨损不均匀(磁场较强的地方被大量溅射、在磁场南北极中间线附近溅射量较少)。
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* M1 n- h7 u% @ G# n9 w四、离子束溅射
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这是唯一一种不用放电的溅射方法。 # _. d* {, l; _+ B! ]' L
从离子枪(产生离子并加速的设备)发射出来的高速离子照射靶材使其溅射后堆积在基板上成膜其
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他的几种溅射方式都利用等离子状态、基板同时也受到电子和离子的影响。离子束溅射不采用放电现象。但是为了使离子枪持续产生离子也需要供应惰性气体。: ]4 @3 \! w8 m' n0 @
4 E' P9 I; {; q" ^
(注:使原材料离子化而射向基板的手法被称为离子注入法、而不是溅射。) 特征
' i! h+ u( U5 h5 C* g: O1、不需要放电来产生等离子状态、高真空状态下也可成膜。
) E+ f0 \! }% V9 p4 e2、离子源独立存在、单独设定容易。 . I4 V9 n$ x4 Q2 v: x1 S" `& \
3、靶材不需要导电性。: D$ c* O! t v7 Z
0 z* R, I% J1 G1 i( ?' t5 Y
缺点) }. O; L1 J/ F- u
1、设备复杂、昂贵。
|/ h/ l& k* N+ P. V4 _3 i3 n2、成膜速度慢。
; s4 L [* }& l1 f+ K# H: ]* C7 i: Y1 {
! m( g' T! C0 y, q# r溅射成膜设备的构成 , ^" `+ n7 F8 b% M ` O
$ J( j6 e5 q2 u$ c
0 H* N6 ?" b M除了离子束溅射之外、设备基本构成如下: 1、真空腔体(气体导入口、基板和靶出入口等)。
3 s% n( ^3 [6 ^% q+ p7 O2、排气系统(旋转泵、分子泵、因为要放电、所以不需要高真空)。 2 y; g+ R( j) O' j$ }5 a x; X
3、成膜基板台。 2 a4 c& h3 j# y/ ~9 {( `; a# {
4、靶台。
3 Z6 H) h4 L* Q5、电源(高频电源、高压电源)。
9 b! h5 ~$ @7 s' D" n8 J0 D6、控制系统。8 K; n p: x& i+ l
( V4 i+ f2 ?$ J: N9 `* j溅射利用法
* n) a( }, c2 Q) R7 \, G磁气记录媒体。 / ~3 f3 T6 w6 `* ?1 W ^: `
CD/DVD(信息记录的金属膜)。
$ ]1 ~7 U) P! U% H. Z( U: ^半导体(电路、各种传感器)。) N! M4 D o5 w# `2 S
磁头。7 P U' B/ @, _
打印机头部。 n4 A' f! y' G$ q' i4 ~; _
液晶(透明电极部分)。; S B( W8 @9 G# ^# i2 g u
有机EL表示装置(透明电极部分)。
6 [. d9 p9 ^8 J6 @2 Q高辉度光电管。$ y, |7 i% o/ Z1 P
电子显微镜样品制作。
, y* u6 P8 c! [# I# i# [+ ^4 ], N光触媒薄膜。 k2 ^- G. d+ M' Q; C+ h( V
表面分析(利用溅射的切削作用)。4 I# ^- n" }' G$ L
形状记忆合金薄膜。" [- Q, ^, p" W! n4 j$ o
塑料或玻璃的电子屏蔽膜。
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