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中頻濺射的原理跟一般的直流濺射是相同的,不同的是直流濺射把筒體當陽極,而中頻濺射是成對的,筒體是否參加必須視整體設計而定,與整個系統濺射過程中,陽極陰極的安排有關,參與的比率週期有很多方法,不同的方法可得到不相同的濺射產額,得到不相同的離子密度 中頻濺射主要技術在於電源的設計與應用,目前較成熟的是正弦波與脈衝方波二種方式輸出,各有其優缺點,首先應考慮膜層種類,分析哪種電源輸出方式適合哪種膜層,可以用電源特性來得到想要的膜層效果.
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中頻濺射也使磁控濺射的一種,一般磁控濺射靶的設計,平衡磁場與非平衡磁場,磁場的設計是各家技術的重點,國際幾個有名的濺射靶製造商,對靶磁場的設計相當專業,改變磁場設計能得到不相同的等離子體蒸發量.電子的路徑,等離子體的分佈,所以濺射靶磁場是各家的技術機密.
靶直接冷卻當然效果好跟間接冷卻最大的是蒸發功率,直接冷卻可提高蒸發功率,相對來說可提高離化率
" B! I+ ]: o8 z0 t$ P+ U濺射速率,但帶來漏水的問題,靶材選購的問題,尤其濺射時靶材問題,精度要求.鑲纤
+ {. S4 ~4 P9 l7 Y4 i) J2 w拼接等都無法克服,所以一般都採用間接冷卻的多,
* K; Q. I; [) ], X* X- j: G2 J { 濺射也應該歸在PVD沉積的其中一類,也是離子鍍膜的一種(我是這樣的歸類),濺射是在輝光放電區,而電弧離子鍍膜是在弧光放電區,新的中頻濺射技術,就市讓工作點接近弧光放電區,既有輝光放電產生的優點,又有弧光放電的高離化率,; l* U5 P7 e B3 D! o
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電弧離子鍍確實有你說的高離化率
7 q, C5 d3 i* @$ B; n! W3 s- k結合力好的優點,利用高離化出來的離子去實現對工件清洗
7 c1 c" G' b! l O: E; [注入
# ~3 X2 r% a( G3 O6 V. A1 x$ x蝕刻,利用偏壓的效果得到好的膜曾與基材的結合,這些優點確實比濺射好很多,尤其工具鍍膜時更明顯,
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发表于 2010-4-22 09:38:08