9、在fcc晶体中，hcp沉淀容易在层错上形核是因为：

奇奇

1、在fcc晶体中，hcp沉淀容易在层错上形核是因为：
# n8 g, |  `9 V* {" \; ]( H# F* I
A) 层错形核的|DGd|大；
B) 层错形核的|DGv|大；

) c& Y0 q3 I4 E" m5 zC) 层错形核的|DGs|小；
8 R- _, x0 M5 J* d9 X! F6 RD) 层错形核的 (界面能)小。

2 G7 M3 J6 G: m* z4 h2、在A,B两组元组成的置换固溶体中，若ra>rb，两组元的热力学因子
  N9 |8 \- Q$ e6 qFA 和
FB 之间的关系是：
7 l2 P' W2 v, \4 G3 k
A) FA>FB
B) FA<FB
1 B6 v) u3 o' p+ h' T& d; D$ ?5 q' a' u
5 ^  R0 y* g0 O/ T/ A6 N7 s. Z+ }C) FA=FB
5 p( y* Y' B* D+ V2 I. ^
D) 无确定的数量关系
9 H1 i. ]5 q1 s0 @6 r
% X+ w0 l, O5 A- r* ?3、晶界作为高扩散率通道的作用和

* }  A2 H: ?- ~( m, m' ]4 Q& i' {A) 温度有关，温度越高晶界作用越明显；
( r7 Z. k9 n9 \9 i8 nB) 温度有关，温度越高晶界作用越不明显；
" T4 F: Z( ]4 Z6 P( ~7 _, H# `
C) 溶质浓度有关，浓度越高作用越明显；
  i( F% P2 @* Y8 M6 i: ?4 F' r" `D) 溶质浓度有关，浓度越高作用越不明显。
! E0 ?8 ~( Z+ H6 L: x
4、小角度扭转晶界和倾转晶界的区别是
2 u. `/ e% x! V, t. M5 z& t+ K
6 Z% E" v: _) L7 t- _/ X' A) |6 OA) 倾转晶界的转动轴和晶面垂直，扭转晶界转动轴和晶面平行；

2 s* U+ ^9 A2 ^1 \8 W* TB) 倾转晶界由两组螺位错交叉组成，扭转晶界由一组刃位错组成；
% R1 L8 {- a1 f0 c& |  {& d
8 p, k* `2 m% M' r( E( \C) 倾转晶界由混合位错组成，扭转晶界由一组刃位错组成；
8 @& s. ]; d1 M
D) 倾转晶界由一组平行刃位错组成，扭转晶界由一组交错的螺位错组成。