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发表于 2008-7-1 13:38:14
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来自： 中国陕西西安
LED手电筒
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LED手电筒是以发光二极管作为光源的一种新型照明工具,它具有省电、耐用、亮度强等优点。' G$ S1 M4 m& \2 l- o0 Q' L& g
（一）LED发光原理
" V3 t# \8 a* _5 l ?1 M+ F4 Y s发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。
, S" v% l3 e. g7 w1 M假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 + V. ^5 v4 N' i0 H5 k" w, [
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即 ! M+ b0 {+ X2 ?2 D5 j
λ≈1240/Eg（mm） 2 c7 L6 `$ O4 x9 m: D
式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。 & ~7 R8 r/ ?! a4 j7 S
（二）LED的特性 }- g) E% L# M" H9 j
1．极限参数的意义
* r& I! o$ O6 T+ A$ @（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。
2 ?+ t6 n' T: N7 N（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
6 m y1 }- p- e. W- r& e（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。 ( e- F1 R9 T' a+ f3 d- O
（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。 |
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发表于 2008-6-28 15:07:47
