如何测量IGBT、GTR模块？

xcvcx

参数是啥，范围，一般规格和型号。谢了

lljyes

测量好坏吗?IGBT的好测,就用电阻档和二极管二个档位就可以了!

anxingyiyuan

测量好坏吗?IGBT的好测,就用电阻档和二极管二个档位就可以了

ymkmqv

补充下若全导通就是被击穿了。

cylzwx

  IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给 PNP 晶体管提供基极电流,使 IGBT 导通.
+ ]& a' r" @$ K2 g. G1 C反之,加反向门极电压消除沟道,流过反向基极电流,使 IGBT 关断. IGBT 的驱动方法和 MOSFET
基本相同,只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性.
    当  MOSFET 的沟道形成后,从  P+ 基极注入到  N 一层的空穴(少子),对 N 一层进行电导调制,减小 N 一层
的电阻,使 IGBT 在高电压    时,也具有低的通态电压.
8 |4 ~2 ^2 e. n6 D      IGBT 的工作特性包括静态和动态两类:
      1 ．静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和    开关特性.
      IGBT 的伏安特性是指以栅源电压 Ugs 为参变量时,漏极电流与    栅极电压之间的关系曲线.
输出漏极电流比受栅源电压 Ugs 的控 制, Ugs 越高, Id 越大.它与 GTR 的输出特性相似．也可分为饱和    区 1
2 ~: E9 E/ s; E/ c2 h0 z、放大区 2 和击穿特性 3 部分.在截止状态下的 IGBT ,正向电    压由 J2 结承担,反向电压由 J1 结承担.如果
- }( B$ I+ _) O4 B- P* K+ z5 _无  N+ 缓冲区,则正反    向阻断电压可以做到同样水平,加入 N+ 缓冲区后,反向关断电压只    能达到几十伏水平
( Y/ N4 G* x1 D4 g# u8 P* l,因此限制了 IGBT 的某些应用范围.
4 i: x9 ^, R# v; n. Y3 p      IGBT 的转移特性是指输出漏极电流 Id 与栅源电压 Ugs 之间的    关系曲线.它与 MOSFET 的转移特性相同,
当栅源电压小于开启电    压 Ugs(th) 时, IGBT 处于关断状态.在 IGBT 导通后的大部分漏极电    流范围内, Id
与 Ugs 呈线性关系.最高栅源电压受最大漏极电流限    制,其最佳值一般取为   15V 左右.
1 R/ ^* J7 }% b) C; X" |0 ^+ _      IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系. IGBT   处于导通态时,由于它的 PNP 晶体管为宽基区
( \: d* {1 ?1 M8 u& j晶体管,所以其 B 值    极低.尽管等效电路为达林顿结构,但流过 MOSFET 的电流成为   IGBT 总电流的主要部分.
此时,通态电压 Uds(on) 可用下式表示
Uds(on) ＝ Uj1 + Udr + IdRoh  ( 2 - 14 )
  式中 Uj1 —— JI 结的正向电压,其值为 0.7 ~ IV ;
4 ]# ~8 n- |: V5 H, X* [  Udr ——扩展电阻 Rdr 上的压降;
9 ^0 g1 V- \  I/ N  Roh ——沟道电阻.
( J! i; ~" K6 i. J4 J" n0 T! R  通态电流 Ids 可用下式表示:
  Ids=(1+Bpnp)Imos         (2 - 15 )
  式中 Imos ——流过 MOSFET 的电流.
  由于 N+ 区存在电导调制效应,所以 IGBT 的通态压降小,耐压   1000V 的    IGBT 通态压降为    2 ~  3V     
( Y: M. ~$ S' G: h$ DIGBT 处于断态时,只有很小的泄漏电流存在.
4 J" ?- y- S, P$ a$ E: T" Q' N) Q0 I  2 ．动态特性 IGBT 在开通过程中,大部分时间是作为   MOSFET 来运行的,只是在漏源电压 Uds 下降过程后期,
5 C4 O4 v9 B0 v$ @9 _5 d9 v3 {" sPNP 晶体    管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间. td(on) 为开通延迟时间,   tri 为电流上升时间.实际应
用中常给出的漏极电流开通时间 ton 即为  td (on)  tri  之和.漏源电压的下降时间由 tfe1  和 tfe2 组成,如图
2 x: `" \% L4 @) L, T: S2 - 58 所示     
0 k5 y0 _1 c1 m( NIGBT 在关断过程中,漏极电流的波形变为两段.因为 MOSFET 关断后, PNP 晶体管的存储电荷难以迅速消除,造成漏
$ C5 y; \2 b1 a极电流较长的尾部时间, td(off) 为关断延迟时间, trv 为电压 Uds(f) 的上升时间.实际应用中常常给出的漏极电
流的下降时间  Tf  由图 2 - 59 中的  t(f1)  和 t(f2) 两段组成,而漏极电流的关断时间
t(off)=td(off)+trv 十 t(f) ( 2 - 16 )
式中, td(off) 与 trv 之和又称为存储时间.
粗测IGBT放大性能可以用下面方法
1. 场效应管检测(SFP9630、IRFS630)：
0 m% B) J$ h) k- M7 ~P沟道场效应管以SFP9630为例，万用表置于二极管档位，按下表检测：

表3.9－2 P沟道场效应管

8 Y) y" f5 }0 Q; ]1 l  a% i先三脚短路后进行下列测试

表笔连接   ]  l. _3 i& M+ R		读数 6 D1 u" ^; V& N* N- ~7 G	评判 : V1 S; ^0 P, o! u+ i5 O3 U	引脚示意图
红－S、D	黑－G	无穷大 ) Z" m$ e4 u5 E: a, ?( G( y3 W	好	% r5 B  O# Z2 F
红－G	黑－S、D	无穷大 , m' _6 F& J9 j$ l3 c9 d' Z	好
红－S	黑－D 4 b* |. D! ^/ j5 ~' L4 Z3 Y( r	无穷大	好
红－D 7 S" |0 s" f9 `6 q1 \7 g	黑－S	0.5读数	好 ( {* n3 Z# x$ f. m5 Z
红－S " L6 T) S* _' Z" k1 B	黑－G : q7 U& M1 `% t* Q+ v$ e& a5 ?	无穷大	红－S不变，黑－D，有0.8读数，好
三只脚短路后重新测试才有效，以上测试结果属正常，否则不正常。

N沟道场效应管以IRFS630为例，万用表置于二极管档位按下表检测：
$ c& P" M  [# j- z4 I

表3.9－2 N沟道场效应管

1 u" K7 }( K+ E: w! l6 y4 }* N' u先三脚短路后进行下列测试
# H0 @1 y. [2 h4 N% X

表笔连接 . L, h1 g! p* b		读数 / x  I7 A4 q, o3 V% M3 t) c$ W. K	评判 # F0 N5 n% C; E3 x9 l: S	引脚示意图 , B& |6 G" v) [" @# h4 \& o
红－G 0 K) {/ N$ A/ Y# X+ p; t1 l0 I	黑－D、S 7 j1 _  @! g0 A8 }	无穷大 3 W( r4 V% n: Y	好 - ^/ m& x2 b7 s3 ?$ Q5 T3 Q+ h. k	/ B; \; C9 [, e3 F6 B
红－D、S	黑－G	无穷大	好
红－S	黑－D , n9 c6 P+ p0 i8 f( {. i	0.5 % ^0 [' s' m: |& U& a	好 # ]# C$ y; R# l* U: P7 P
红－D 2 W) Y8 L2 L$ Z2 K7 v	黑－S + f+ t& `, c- }! H& }$ l; V	无穷大 * t7 P3 }6 j; g. L! z	好 . f2 T- R# i5 ]
红－G - d6 A8 g; }% |+ Q- M2 k" p- W' I	黑－S	无穷大 # V* H! B% u9 \$ ]6 V  S& P* Z3 k$ H	黑不变马上转红－D，有0.8读数，好 $ r6 k# U: W" {  o, t
三只脚短路后重新测试才有效，以上测试结果属正常，否则不正常。 0 \) W+ o  f' @6 N) k+ B, O0 x% R

，
6 b3 G# e1 L6 I5 D- `. J  m，

[ 本帖最后由 cylzwx 于 2008-3-22 08:51 编辑 ]

hs249032213

楼上方法原理是是什么呢？

ymkmqv

5楼的方法真有意思，是实践出来的吗？