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硅中注入硼的扩散
4 e7 B( \3 P' A2 A孔凡志, 文勇军, 廖家欣, 唐贵平
% `" b4 n: l2 C! K" y+ \(长沙电力学院物理与信息工程系,湖南长沙 410077)& I6 X( V3 N, y/ o
0 d4 M5 B ?. m) o1 h [中图分类号:TG113. 22 文献标识码:B 文章编号:100627140 (2003) 0220083204
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摘 要:硼是半导体材料中最主要的杂质,而精确控制杂质浓度剖面是半导体工艺的关键问题之一. 对硼在硅中的扩散从理论与实验的结合方面进行了系统的讨论.
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关键词:扩散;快速热退火;辐射损伤;Fair 理论
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0 |: p/ q* H5 p, Y% R来源：《长沙电力学院学报( 自然科学版)》第18 卷第2 期 2 0 0 3 年5 月
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[ 本帖最后由 清风明月008 于 2007-10-30 21:42 编辑 ] |
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发表于 2007-10-30 20:27:13
