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硅中注入硼的扩散5 N* D0 }/ l. ^, g) `( c
孔凡志, 文勇军, 廖家欣, 唐贵平
5 l! B% B, N" c(长沙电力学院物理与信息工程系,湖南长沙 410077)+ ]' _* n+ O! {% u- x- x
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中图分类号:TG113. 22 文献标识码:B 文章编号:100627140 (2003) 0220083204+ |# j6 K m# q" r9 T8 }
) [: Q: t, E* H/ a摘 要:硼是半导体材料中最主要的杂质,而精确控制杂质浓度剖面是半导体工艺的关键问题之一. 对硼在硅中的扩散从理论与实验的结合方面进行了系统的讨论." j! _( ?' R' I: u+ h9 H6 M% S+ B
* p$ o3 _ Q( b; [# ^关键词:扩散;快速热退火;辐射损伤;Fair 理论$ u0 |' ]8 B& a/ J! ^+ w [; K+ L
! B" S- o0 @7 z) m2 F! ~5 I* S0 @+ S 7 X$ n- w* d/ `2 b
来源:《长沙电力学院学报( 自然科学版)》第18 卷第2 期 2 0 0 3 年5 月
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7 K( Q& ~% w/ i/ k! d3 O0 Z[ 本帖最后由 清风明月008 于 2007-10-30 21:42 编辑 ] |
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