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单晶硅(c-Si), U, m* ?2 r! r' k+ u7 g
以高纯度多晶硅为原料在单晶炉中被熔化为液态在单晶种(籽晶)上结晶而成由于其晶体的原子和分子以同一方向(晶向)周期性地整齐排列所以称为单晶硅。
; p" M) s4 ]* h9 q多晶硅(p-Si)! L1 B, b- w S0 b
熔融硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如,在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面,远不如单晶硅明显;在电学性质方面,多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著,甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面,两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别,但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
% Q4 ^, D4 l. i) o非晶硅(a-Si)( s+ n$ \" G6 i( k+ F! O* J. X& f; w
熔融硅在过冷条件下凝固时,硅原子以无规网络形态排列成许多晶核,这些晶粒结合起来,就结晶成非晶硅。& S: b3 o3 {5 j& z+ {$ g
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以上解释仅供参考之用,敬请大家更正。 |
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