|
|
发表于 2007-9-6 23:01:28
|
显示全部楼层
来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴
# X0 ~: n9 f; |- I) X6 y/ a0 U+ q(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)
H. C, ^( L0 v# @摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体- [' ?7 T: U1 z: T: C* C
硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间
3 L% x2 m$ R$ k4 N$ b$ S. ?8 @和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化1 G) y4 D) Q1 z
度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %' L& ~9 X8 y, C5 B! |6 v4 N3 u
的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.
, L# i! p6 o5 E/ r4 t' |; a6 n关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)' O3 [2 F% B( {# |; q' l
PACC: 7340L ; 7360F ; 8115H- O# y- _6 m& S0 o' @$ m& B- k! r# U
中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
评分
-
查看全部评分
|
