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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴7 V5 `6 G% W8 a8 a1 {: C
(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)
4 \! n, W* v, {& K摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体( _% t8 M# X0 M ?; X
硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间$ r2 Q4 Q! z3 D2 B: p8 x
和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化2 p5 m) E# |* j6 Q3 ^ t
度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %$ y2 A3 Z! l% y7 a
的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.. b% {; S# F) C6 C& w
关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)0 m2 z7 L% J% i |
PACC: 7340L ; 7360F ; 8115H
, T8 Q" |, Y [" G7 `4 M中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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