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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴+ C1 n7 f/ A. U0 [
(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)8 u! K4 q4 Y p! o4 j
摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体
5 d! o7 j8 Q3 e5 x" j* ?4 l! ^0 ]硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间
2 A- M' X5 S+ z- l和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化4 O4 |8 w h( B& g
度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %
4 O, B, s' H& @" v. K- S6 j) d的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.1 a+ W5 ]. H' ], a: I
关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD); d% s* j7 \! l% U
PACC: 7340L ; 7360F ; 8115H- a5 t2 B4 _5 ^( \$ ]4 N% P
中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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