真空镀膜技术及设备两百年发展历史二

luxuliang

- {- @0 D( t' N; ?0 M20世纪的前50年
( H( w0 e+ i. F  W2 R& M2 ]) u1904年, 圆筒上溅射镀银获得专利(Edison)。
6 ^1 E) j: l$ x1907年, 开始研究真空反应蒸发技术(Soddy)。 1913年, 吸附等温线的研究(Langmuir,Knudsen,Knacke等)。
  ]* _9 u$ I0 ^# u" `% d+ ~) A9 H1917年, 玻璃棒上溅射沉积薄膜电阻。
3 e0 {0 @+ h; [- a1920年, 溅射理论的研究(Guntherschulzer)。
1928年, 钨丝的真空蒸发(Ritsehl,Cartwright等)。
) X5 m9 \8 g( W  n, V6 D2 P1930年, 真空气相蒸发形成超微粒子(Pfund)。
7 ^- k) Q0 o/ f- f& d% Z. w) Y& D1934年, 半透明玻璃纸上金的卷绕镀(Kurz,Whiley); 薄膜沉积用的玻璃的等离子体清洗(Bauer,Strong)。
1935年, 金属纸电容器用的Cd:Mg和Zn的真空蒸发卷绕镀膜研究成功(Bausch,Mansbridge); 帕洛马100英寸望远镜镜面镀铝(Strong);光学透镜上镀制单层减反射膜(Strong,Smakula); 金属膜生长形态的研究(Andrade,Matindale)。
1937年, 使用铅反射器的密封光束头研制成功(Wright); 真空卷绕蒸发镀膜研制成功(Whiley); 磁控增强溅射镀膜研制成功(Penning)。
1938年, 离子轰击表面后蒸发取得专利(Berghaus)。1939年, 双层减反射膜镀制成功(Cartwright,Turner)。
7 o" \0 l) R6 P' A( ?3 J8 O1941年, 真空镀铝网制成雷达用的金属箔。
1942年, 三层减反射膜的镀制(Geffcken); 同位素分离用的金属离子源研制成功。
1944年, 玻璃的电子清洗研制成功(Rice,Dimmick)。
7 H5 J1 w& _  n" |  h) x1945年, 多层光学滤波器研制成功(Banning,Hoffman)。
& y3 M% v/ V) q& W7 s* t* l8 ^1946年, 用X射线法吸收法测量薄膜的厚度(Friedman,Birks); 英国Goodfellow公司成立。
* p( e, R8 I6 k  M( [9 h) `5 {) U1947年,200英寸望远镜镜面镀铝成功。
1948年，美国国家光学实验室（OCLI）建立；沉积粒子的真空快速蒸发（Harris，Siegel）；用光透过率来控制薄膜的厚度（Dufour）。
/ x5 J, l" f+ u1 f' N1949年，非金属膜生长形态的研究（Schulz）。
1950年，溅射理论开始建立（Wehner）；半导体工业开始起步；各种微电子工业开始起步；冷光镜研制成功（Turner，Hoffman，Schroder）；塑料装饰膜开始出现（holland等）。

: C3 ^# o. Z+ P9 z/ x1913年, 吸附等温线的研究(Langmuir,Knudsen,Knacke等)。
1917年, 玻璃棒上溅射沉积薄膜电阻。
1920年, 溅射理论的研究(Guntherschulzer)。
  c1 G( i, V; @* O4 u& ?. J2 ?+ f1928年, 钨丝的真空蒸发(Ritsehl,Cartwright等)。
5 R4 W0 G" g+ g1930年, 真空气相蒸发形成超微粒子(Pfund)。
) x9 B: w, `) I0 `+ q1934年, 半透明玻璃纸上金的卷绕镀(Kurz,Whiley); 薄膜沉积用的玻璃的等离子体清洗(Bauer,Strong)。
1935年, 金属纸电容器用的Cd:Mg和Zn的真空蒸发卷绕镀膜研究成功(Bausch,Mansbridge); 帕洛马100英寸望远镜镜面镀铝(Strong);光学透镜上镀制单层减反射膜(Strong,Smakula); 金属膜生长形态的研究(Andrade,Matindale)。
4 P/ i. g( v( p, t# q7 F1937年, 使用铅反射器的密封光束头研制成功(Wright); 真空卷绕蒸发镀膜研制成功(Whiley); 磁控增强溅射镀膜研制成功(Penning)。
7 Z& M" a- S& B8 O2 ~- a1938年, 离子轰击表面后蒸发取得专利(Berghaus)。1939年, 双层减反射膜镀制成功(Cartwright,Turner)。
7 j4 ]; w: y% C% y4 |+ ?1941年, 真空镀铝网制成雷达用的金属箔。
+ t0 t& e2 F& y& \* C. f1942年, 三层减反射膜的镀制(Geffcken); 同位素分离用的金属离子源研制成功。
2 n4 [; c. a0 S0 b3 P% |# X4 S1 x1944年, 玻璃的电子清洗研制成功(Rice,Dimmick)。
* S3 H# _+ w! ]: }$ I8 i1945年, 多层光学滤波器研制成功(Banning,Hoffman)。
1946年, 用X射线法吸收法测量薄膜的厚度(Friedman,Birks); 英国Goodfellow公司成立。
1947年,200英寸望远镜镜面镀铝成功。
, }. e8 N. Y5 A6 Z( e1948年，美国国家光学实验室（OCLI）建立；沉积粒子的真空快速蒸发（Harris，Siegel）；用光透过率来控制薄膜的厚度（Dufour）。
1949年，非金属膜生长形态的研究（Schulz）。
1950年，溅射理论开始建立（Wehner）；半导体工业开始起步；各种微电子工业开始起步；冷光镜研制成功（Turner，Hoffman，Schroder）；塑料装饰膜开始出现（holland等）。