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发表于 2009-10-2 09:17:33
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来自: 中国安徽滁州
光电耦合器是一种把电子信号转换成为光学信号,然后又回复电子信号的半导体器件。当电流移向电耦合器的输入面,光学信号由发光二极管输出 。输出面的光学感应器察觉之,同时电流移动。一般用在开关电源的稳压部分,主要起到隔离冷热地的作用,里面是一支发光管和一支光敏三极管,发光管取样,发光管的亮度影响着光敏管的阻值。
) x# {/ g! z5 j; I- p其指标主要是从绝缘能力和传输能力上考虑的,光电耦合器的电参数可分为发光器参数、受光器参数、耦合参数和总体参数等几类。: @1 X' U& N, ?: ?: S! r
发光器参数如下:
3 w. J$ B% i* F9 C% B! z& H6 d(1)发光二极管正向压降Vf
) M0 v( B( e+ ^% W( r8 x(2)发光二极管正向电流If$ X+ h" l2 n/ Q, m- s$ l. s
(3)发光二极管反向电压的极限值Vr+ {6 _: P% N+ H; m
对于光敏二极管、三极管(含达林顿型)受光器而言,其特性参数为:
4 {) B9 y9 s d: L(1)输出晶体管饱和压降Vce
3 |7 d0 D: d8 S8 {* P(2)基极开路时集-发间击穿电压Vceo
+ [3 t1 a) t+ B! T# h5 k( ~2 u# D(3)电流放大系数hfe
: C6 [7 R+ L9 h; k* A(4)上升和下降时间tr、tf或开关时间ton、toff
5 c, L+ j( i/ h+ [ 对于光敏可控硅型受光器,则有如下参数:
* h O0 c% ~& |8 k) F2 k(1)断态输出端电压极限值Vdrm。6 c: E# n+ E) N' f, L0 v) i0 U
(2)电压上升率dv/dt
: q, x. ^. M+ [' Y(3)不重复峰值浪涌电流Itsm
6 r6 V% v7 I$ W6 ? 对晶体管输出描述其耦合特性的参数有:" ] R! O a( h8 N
(1)电流传输比CTR,指的是If/Ic的百分比。值得注意的是CTR并非固定不变,它随If和光敏三极管的基极电阻Rb以及外境温度而变化。$ \1 R/ }3 {, f7 S. \! m/ P
(2)发光器受光器之间绝缘电压
" t C9 d( R8 H2 Z 对于光敏可控硅输出,耦合特性参数有:
6 u8 z& W: u6 M/ W0 Q$ i W! I# u* c(1)LED触发电流Ift
1 u* R4 K) I1 j5 ?5 Q" q9 r(2)可控硅维持电流Ih |
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