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发表于 2009-9-24 09:14:36
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来自： 中国上海
现代材料计算与设计教程 & P; r' e7 |& j9 G
目 录5 T1 ^" G+ a" \" U6 ?
第1章 计算机与材料设计& V. ]6 P( B3 P G1 r- [ J
1.1 计算机与数值计算方法的进展1 F4 S* t4 |- f2 M) O; T8 ^
1.2 材料计算与设计在新材料研究开发中的作用
+ e1 x2 h1 F7 e/ X% f" r' c, h8 W1.3 计算机与分子、原子设计
. r( n% S7 u0 K# ^3 o) n; {7 [" m1.4 材料设计与虚拟技术1 p* A+ I5 S2 @) Y# B
第2章 材料计算的物理基础: ^& L5 L, A1 E1 M8 l: E8 G ]( K1 v
2.1 氢分子的结合能
7 j' E, ]" l, g2.2 物质的能带结构; _8 D4 O8 C# Q1 [
2.3 四面体法与态密度$ _* {, f0 C5 B' x/ c
2.4 密度泛函概要+ C2 g3 C' b* M4 m7 u. `
2.4.1 局域密度近似(LDA)4 K3 B' w( Y7 w; Q# Z" D
2.4.2 局域自旋密度近似(LSDA)$ i3 F: x6 b* r/ V E3 I
2.4.3 局域密度近似方法的局限与改进( y' D% |7 \" F8 y+ @/ E
2.5 凝胶模型与金属的功函数# q% B5 |2 s6 E5 Q" q3 D( b
2.6 原子嵌入法(EAM)
4 W2 y' O/ R# P! [5 M' o2.7 能带计算初步
* f7 u; d6 d% X! z2 O6 A附录A
+ V' x) k) J/ N2 U% b6 ^, D附录B
; Q, K: n; b% s- v第3章 计算机模拟基础
( j( a# j2 f; ^( S% k7 F3 Y3.1 计算机模拟的意义. v G4 t! n- M5 g/ g: R" A- O
3.2 分子动力学方法的基本思想8 q4 V( r: Q+ u2 @! r) {
3.2.1 经典分子动力学方法' b: r! A: l+ `
3.2.2 恒温方法7 {" \$ E) I% l- b6 f2 f
3.2.3 恒压方法
! l4 h5 U# q; Y 3.2.4 ParrinelloRahman方法8 d% C& i- b; I' b* S/ O- B
3.2.5 CarParrinello方法
* Y8 o! l4 m4 Q: c* s9 f1 X3.3 表面原子结构7 @& G% e6 l* }: l- I, G" w
3.4 固体的原子扩散
3 a' Y) R6 T& q$ d5 y3.5 晶体生长模拟4 F8 D' F( N9 U! x
3.6 HellmannFeyhman力的计算
& \- m6 h* Q5 {& F附录
2 j; J: j! o D& a% p( K7 L第4章 蒙特卡罗方法
' e' c/ z$ _% `4.1 引言
9 z5 Z4 P& h }/ `4.2 蒙特卡罗方法基础: |% _# k% _$ F6 \4 H* g E$ }& ~
4.2.1 随机过程
/ F3 y5 g' Z3 j* C1 z7 T3 ^ 4.2.2 马尔科夫(Markov)过程
8 H5 ]( T& ^6 K; D" l3 d 4.2.3 各态历经(Ergodic)问题
8 O" |1 j2 L' J# l( F4.3 蒙特卡罗模拟算法6 S% o5 o$ }' q- X$ Q+ ^; b1 _ y7 z
4.3.1 随机数的产生
' P2 \5 ~$ H8 d! ` 4.3.2 随机变量的简单抽样
# D, z6 C2 l$ I& h 4.3.3 重要抽样法
9 r b$ G7 l- |6 v! j2 D. {" `% E 4.3.4 弛豫过程的计算
4 F( Q d4 K K- \4.4 应用举例$ b5 n0 S, H: T" C# G0 d# P6 b2 i( t
4.4.1 经典粒子系统
5 d7 j4 w/ ~/ G, u0 k" p 4.4.2 逾渗问题
% U N: ^" H$ F! E( B: c# @% l 4.4.3 高分子体系+ z' Y; [% S- @: s
4.4.4 经典自旋系+ h0 _( m" Y3 H/ T! V, `
4.4.5 量子蒙特卡罗方法0 a; @ a- E \: Q V c
4.4.6 核的形成1 g* r$ ^% P$ P2 z, ?
4.4.7 晶体生长- L g% }0 {. x+ b% T. {" @0 `
4.4.8 分形体系(Fractal System)/ ]/ m- u8 s# b7 N+ |3 a
第5章 经典分子动力学方法
$ k5 x& \* ]8 ~1 v, i! s; ~; a5.1 引言" c! Y2 C: j" X$ g$ _; `6 W
5.2 分子动力学方法计算初步
: a: a- s# R/ k( o8 j: R1 h 5.2.1 分子动力学方法主要技术概要
& J3 _" B: B- F- r( F6 z) P* r 5.2.2 质点系的基本方程(NTP系综)& A& Z' B/ u. a+ m2 W% X
5.2.3 质点系的基本方程(μVT系综)' e' K! M6 M7 P
5.2.4 约束系的基本方程(NEV系综)
7 a( T- `0 [" |" i 5.2.5 边界条件问题
4 P1 A9 I5 s' Q. j' e- t 5.2.6 力的计算方法
4 N" ]! [/ ]& L; p2 ]4 g, v 5.2.7 数值积分方法介绍; ~5 ^9 v' q% o9 w0 ?: k
5.2.8 模拟结果的分析方法
( o9 V2 M. O' P: ?7 V7 |5.3 物质的势函数0 X% A7 V8 T! N3 i+ v5 H; {
5.3.1 势函数的分类
7 a& N4 a3 O& U8 f4 k2 n 5.3.2 对势
7 O$ f& ~& [# K% @ 5.3.3 对势函数中各参数的确定方法2 ?9 Q0 ]3 [0 z# Q, v9 `
5.3.4 对泛函势
% O; ^ S0 u' @4 N0 H4 K 5.3.5 团簇势. w# w8 _7 l. V4 d# Q8 Q% ?
5.3.6 团簇泛函势, T0 X" H J) C# F4 |5 a
5.3.7 分子间模型势
. u9 J+ Z @% F第6章 第一性原理分子动力学方法# k, l- S+ q' s
6.1 引言
- P- f7 w6 _1 o. q6.2 多电子体系的电子态) y; s8 M' L: c3 e
6.2.1 全同多粒子体系量子力学; F+ T7 D/ B9 N0 K+ L* m
6.2.2 HartreeFock近似5 h7 h: u* B# h9 \
6.2.3 密度泛函理论
4 C: X& C9 v0 ?9 J 6.2.4 能带计算
; ]! x, K; m/ M' {6.3 多原子体系动力学/ {# w, L. d# X# ^7 I
6.3.1 CarParrinello方法( I" E9 i+ P3 V* g& V
6.3.2 展开基系的选择$ w8 [# q" F" z0 U! k
6.4 应用举例! f( t- [+ Y R; \& I
第7章 陶瓷材料设计
* X9 [7 k: M. s7.1 陶瓷材料中有关设计的概念及方法论
6 r7 [* y8 I& L: I0 s8 ]# i 7.1.1 何谓材料设计$ R, m" ^ b( K( D
7.1.2 材料设计的方法论
( K- G7 Y0 r( c. y1 _ 7.1.3 特性设计及其方法问题% h) X0 ]3 G2 m0 l7 C# {! `
7.1.4 考虑陶瓷结构的情况8 R/ @( T2 |; O- c1 d: n8 _# Q
7.1.5 组分是主要特性的情况
4 X) T- i/ R- @' n9 @3 F/ n( Q7 i7.2 玻璃的材料设计6 R" X4 V9 Y7 ~ ?
7.2.1 玻璃材料设计的数值计算法1 |% V Z Q; B
7.2.2 玻璃的各种功能设计) x$ Z$ q. ?# Q9 s4 A& c5 g0 _
7.3 陶瓷材料的特性设计
5 X: a7 _ R$ C0 b2 y' ~* C1 h 7.3.1 陶瓷材料设计的基本框架
; z' ^1 C2 N: F 7.3.2 平衡晶相的预测
! s( W2 K. a; j P# E 7.3.3 复合氧化物陶瓷的物性预测# M0 }( |, i; Z) y1 J, D
7.3.4 复合组织和复合原则简论
3 k3 ^. M+ H+ N$ c' K3 _7.4 陶瓷材料合成方法的设计% Q( b4 h) ?7 m( v1 L
7.4.1 取向性烧结体的合成法设计
8 c5 B% [, }0 `! c% L* v 7.4.2 陶瓷微粒的外形设计: k( O0 s! l8 L+ Y
7.4.3 利用薄膜技术进行微结构的设计
Q' H7 H0 t- f" V$ l7.5 小结
$ I' U) I+ }3 q) V9 A$ }" p第8章 半导体材料设计7 O0 S9 P+ ~% A2 o
8.1 引言: y6 h) D1 x$ f0 {
8.2 电子能带结构和半导体物性! n$ c! z: N6 d6 F! m1 j
8.2.1 晶体结构1 O) `3 x; t1 _: V2 |
8.2.2 电子能带结构
% M: ^6 ^& V( ?. d0 A5 m+ _% E2 m 8.2.3 电子能带结构和物性
' g N" d- X* t. U1 E, v. |8.3 电子能带结构的修正
& C9 B+ U1 b. ?* }, f! A$ @& T) n 8.3.1 混晶化法( r6 M' z0 B. r/ z* ~# y
8.3.2 异质结结构
* l9 }1 o" ~3 @% D 8.3.3 超晶格
& ]5 }& K+ I4 r: [; v" R3 I( U 8.3.4 应力及形变效应; q: S6 R) ^- U( x4 t1 m( g/ @
8.4 器件与材料设计
, Z+ ~2 T0 M! i% \9 P. G 8.4.1 电子器件& M3 h! Z& D* L5 R. w
8.4.2 光器件6 b& d3 a" W, o8 W: ~) M
8.5 小结' X) D# A4 N+ C
第9章 材料强度与断裂的模拟
/ J# p0 O) b! W: ~/ @9.1 材料强度的模拟
8 W2 M& {1 h+ Q( Q5 j 9.1.1 位错芯结构
5 o! t" J0 c0 O$ Q8 z! z' P+ u 9.1.2 粒界结构和强度. B5 |/ ^6 j) W8 [* u, `0 p; {
9.2 弹性各向异性和断裂强度& Q( S+ u% Y; @/ r( k( d
9.3 晶体结构与机械性质( B/ J2 j& q% U4 F; i/ F. q
9.4 新物质机械性质的预测+ i* x3 N7 M# ~! ~7 D
9.5 断裂的模拟计算
& N3 G+ `* h8 A) a; ~- a 9.5.1 晶格格林函数法(Lattice Green Function Method，简写为LGF法)# C2 R2 b" `7 g- b/ W
9.5.2 裂纹的结构' }4 n# r7 d7 o! o9 `1 v5 f
9.5.3 裂纹扩展的元过程8 d) i: d3 o2 ?# ^
9.5.4 位错发射+ Z' e2 ]& d. F
附录
8 ^' l* O$ z% X) c" g R第10章 物性预测与新材料设计9 i: l1 n# c1 c/ P8 d' O
10.1 合金的晶格常数和生成能- b( n! D2 W4 L( z
10.1.1 纯金属体系4 k; M* k; W, Q
10.1.2 二元合金系
8 ^/ |; v X- K0 {; p10.2 关于半导体和离子晶体的结构预测
( ~. g% {3 ~3 E$ ]' h. r 10.2.1 半经验的电子论方法2 o' h: b' G9 f3 ~7 ~
10.2.2 马德隆(Madelung)能量的计算 M8 X; h4 u% Z) V5 b6 o
10.3 多层膜及人工超晶格7 T1 U8 y2 R7 J& I# Q5 Y2 q
10.4 碳原子团簇和新物质/ }3 N. i; Y; Y; b
10.5 高压下形成的新物质(同质异形SiO2)
, F2 U0 K1 q; F10.6 表面新物质层8 {2 Y, S% T& r- H k
10.7 平衡状态的计算与预测
# N; t6 K: P' z {! F10.8 ConnollyWilliams方法(CWM)9 t1 z( V( ?/ a6 N! O; \
10.9 集团变分法(CVM)的程序说明
. ?0 h/ B/ S. x3 ?) h附录, o( U8 U R' f x( m
主要参考文献 |
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发表于 2009-9-23 07:07:47
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