|
|
发表于 2009-5-23 18:56:55
|
显示全部楼层
来自： 中国黑龙江哈尔滨
半导体材料掺杂可以大大降低材料的电阻率。在一定范围内，掺杂浓度越高，电阻率也就越低。2 e& ^% v2 `% W5 q: g* ]( W s g
$ {/ x1 J$ S& `/ e, C
在使用不同的掺杂工艺，使其硅或锗单晶基片上一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，在两种半导体交界面附近形成PN结后，这时的主要矛盾就由电阻率的变化转化为PN结处形成的空间电荷区的反向电场强度。在一定范围内，掺杂浓度低，空间电荷区的反向电场强度也就较小，所以在施加正向电压时，相对电流就会较大。但这也有一定的限度，当掺杂浓度为零（实际上应为接近零时的某一值）时，这时的半导体材料不能形成PN结，就是一个通常意义上的半导体了。这也就是人们常说的从量变到质变的过程吧。
7 I* J# c, b F4 b4 b4 ?
# h, f i+ _+ \& e6 T) m4 H当然，掺杂浓度的变化还会影响到PN结的其它各项参数指标和性能。$ B6 c7 ~$ f/ j
1 C7 a# S, I2 K$ m6 E" G
[ 本帖最后由 pangpang 于 2009-5-23 19:04 编辑 ] |
|
楼主