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超硬材料薄膜涂层研究进展及应用
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4 J" |0 H3 F5 ?7 e q$ [! F(北京科技大学,北京100083) 摘要:CVD 和PVD TiN,TiC,TiCN,TiAlN等硬质薄膜涂层材料已经在工具、模具、装饰等行业得到日益广泛的应用,但仍然不能满足许多难加工材料,如高硅铝合 金,各种有色金属及其合金,工程塑料,非金属材料,陶瓷,复合材料(特别是金属基和陶瓷基复合材料)等加工要求。正是这种客观需求导致了诸如金刚石膜、立 方氮化硼(c-BN)和碳氮膜(CNx)以及纳米复合膜等新型超硬薄膜材料的研究进展。本文对这些超硬材料薄膜的研究现状及工业化应用前景进行了简要的介 绍和评述。
# v: o/ |, C7 l' v3 ~7 x$ {$ j% x9 V% X关键词:超硬材料薄膜;研究进展;工业化应用
1 D' U8 r* E$ g6 O; n中图分类号:TIM3 文献标识码:A 文章编号:1008-1690(2004)04-0001-006! u6 Y6 ~2 C. [, v
1 超硬薄膜/ u' s; b3 \% I+ e" i
超硬薄膜是指维氏硬度在40GPa以上的硬质薄膜。不久以前还只有金刚石膜和立方氮化硼(c-BN)薄膜能够达到这个标准,前者的硬度为50- 100GPa(与晶体取向有关),后者的硬度为50~80GPa。类金刚石膜(DLC)的硬度范围视制备方法和工艺不同可在10GPa~60GPa的宽广 范围内变动。因此一些硬度很高的类金刚石膜(如采用真空磁过滤电弧离子镀技术制备的类金刚石膜(也叫Ta:C))也可归人超硬薄膜行列。近年来出现的碳氮 膜(CNx)虽然没有像Cohen等预测的晶态β-C3N4那样超过金刚石的硬度,但已有的研究结果表明其 硬度可达10GPa~50GPa,因此也归人超硬薄膜一类。上述几种超硬薄膜材料具有一个相同的特征,他们的禁带宽度都很大,都具有优秀的半导体性质,因 此也叫做宽禁带半导体薄膜。SiC和GaN薄膜也是优秀的宽禁带半导体材料,但它们的硬度都低于40GPa,因此不属于超硬薄膜。
, t* t& S+ j3 }2 f最近出现的一类超硬薄膜材料与上述宽禁带半导体薄膜完全不同,他们是由纳米厚度的普通的硬质薄膜组成的多层膜材料。尽管每一层薄膜的硬度都没有达到超硬的 标准,但由它们组成的纳米复合多层膜却显示了超硬的特性。此外,由纳米晶粒复合的TiN/SiNx薄膜的硬度竟然高达105GPa,创纪录地达到了金刚石 的硬度。
0 T9 r$ x& u8 i& J P8 X. M& V7 Z本文将就上述几种超硬薄膜材料一一进行简略介绍,并对其工业化应用前景进行评述。& ?5 Y% w# N5 e* K
2 金刚石膜
' a. i, u/ {4 f, y, T# Q2.1金刚石膜的性质 金刚石膜从20世纪80年代初开始,一直受到世界各国的广泛重视,并曾于20世纪80年代中叶至90年代末形成了一个全球范围的研究热潮(Diamond fever)。这是因为金刚石除具有无与伦比的高硬度和高弹性模量之外,还具有极其优异的电学(电子学)、光学、热学、声学、电化学性能(见表1)和极佳 的化学稳定性。大颗粒天然金刚石单晶(钻石)在自然界中十分稀少,价格极其昂贵。而采用高温高压方法人工合成的工业金刚石大都是粒度较小的粉末状的产品, 只能用作磨料和工具(包括金刚石烧结体和聚晶金刚石(PCD)制品)。而采用化学气相沉积(CVD)方法制备的金刚石膜则提供了利用金刚石所有优异物理化 学性能的可能性。经过20余年的努力,化学气相沉积金刚石膜已经在几乎所有的物理化学性质方面和最高质量的IIa型天然金刚石晶体(宝石级)相比美(见表 1)。化学气相沉积金刚石膜的研究已经进人工业化应用阶段。
2 `! K1 s4 d5 Y0 e; R表 1 金刚石膜的性质 ( j9 ~- i5 x# U5 g+ C' ]
Table 1 Properties of chamond film
8 A5 C% i+ @, ~' p7 Q& s% f: [ | CVD 金刚石膜 | 天然金刚石 | 点阵常数 (Å | 3.567 | 3.567 | 密度 (g/cm3) | 3.51 | 3.515 | 比热 Cp(J/mol,(at 300K)) | 6.195 | 6.195 | 弹性模量 (GPa) | 910-1250 | 1220* | 硬度 (GPa) | 50-100 | 57-100* | 纵波声速 (m/s) | # A& g9 W3 f' h/ s7 a; B; y
| 18200 | 摩擦系数 | 0.05-0.15 | 0.05-0.15 | 热膨胀系数 (×10 -6 ℃ -1) | 2.0 | 1.1*** | 热导率 (W/cm.k) | 21 | 22* | 禁带宽度 (eV) | 5.45 | 5.45 | 电阻率 (Ω.cm) | 1012-1016 | 1016 | 饱和电子速度 (×107cms-1) | 2.7 | 2.7* | 载流子迁移率 (cm2/Vs) | " c$ Z r9 q1 X. b
|
8 j" I* y9 {9 [/ ]# H | 电子 | 1350-1500 | 2200** | 空隙 | 480 | 1600* | 击穿场强 (×105V/cm) | * Y" q; O- G" L+ K0 j; s" I
| 100 | 介电常数 | 5.6 | 5.5 | 光学吸收边 (□ m) | 4 [! T) Y0 @. Z$ \8 L" Q S8 R
| 0.22 | 折射率 (10.6 □ m) | 2.34-2.42 | 2.42 | 光学透过范围 | 从紫外直至远红外 ( 雷达波 ) | 从紫外直至远红外 ( 雷达波 ) | 微波介电损耗 (tan □) | < 0.0001 |
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注:*在所有已知物质中占第一,**在所有物质中占第二,***与茵瓦(Invar)合金相当。
1 [1 p3 y: f# u% V& E4 t& @- \2 }2.2金刚石膜的制备方法
8 y7 P" }8 b/ F6 q1 y化学气相沉积金刚石所依据的化学反应基于碳氢化合物(如甲烷)的裂解,如: 4 M8 E/ V% Z" n8 v0 r7 @- o8 c
热高温、等离子体CH4(g)一C(diamond)+2H2(g) (1)
( ~. Q Q3 S( k9 p+ A0 R实际的沉积过程非常复杂,至今尚未完全明了。但金刚石膜沉积至少需要两个必要的条件:(1)含碳气源的活化;(2)在沉积气氛中存在足够数量的原子氢。除 甲烷外,还可采用大量其它含碳物质作为沉积金刚石膜的前驱体,如脂肪族和芳香族碳氢化合物,乙醇,酮,以及固态聚合物(如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯),以 及卤素等等。. c* Y8 ~: u: B" @3 ?
常用的沉积方法有四种:(1)热丝CVD;(2)微波等离子体CVD;(3)直流电弧等离子体喷射(DC Arc Plasma Jet);(4)燃烧火焰沉积。在这几种沉积方法中,改进的热丝CVD(EACVD)设备和工艺比较简单,稳定性较好,易于放大,比较适合于金刚石自支撑 膜的工业化生产。但由于易受灯丝污染和气体活化温度较低的原因,不适合于极高质量金刚石膜(如光学级金刚石膜)的制备。微波等离子体CVD是一种无电极放 电的等离子体增强化学气相沉积工艺,等离子体与沉积腔体没有接触,放电非常稳定,因此特别适合于高质量金刚石薄膜(涂层)的制备。微波等离子体CVD的缺 点是沉积速率较低,设备昂贵,制备成本较高。采用高功率微波等离子体CVD系统(目前国外设备最高功率为75千瓦,国内为5千瓦),也可实现金刚石膜大面 积、高质量、高速沉积。但高功率设备价格极其昂贵(超过100万美元),即使在国外愿意出此天价购买这种设备的人也不多。直流电弧等离子体喷射(DC Arc P1asma Jet)是一种金刚石膜高速沉积方法。由于电弧等离子体能够达到非常高的温度(4000K-6000K)。因此可提供比其它任何沉积方法都要高的原子氢浓 度,使其成为一种金刚石膜高质量高速沉积工艺。特殊设计的高功率JET可以实现大面积极高质量(光学级)金刚石自支撑膜的高速沉积。我国在863计划 "75”和"95”重大关键技术项目的支持下已经建立具有我国特色和独立知识产权的高功率De Are Plasma Jet金刚石膜沉积系统,并于1997年底在大面积光学级金刚石膜的制备技术方面取得了突破性进展。目前已接近国外先进水平。 |