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[求助] 9、在fcc晶体中,hcp沉淀容易在层错上形核是因为:

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发表于 2008-8-12 22:18:27 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自: 中国江苏苏州

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1、在fcc晶体中,hcp沉淀容易在层错上形核是因为:, G2 x4 c0 F8 @" K
0 q" b8 x9 I1 E* O
A)
层错形核的|DGd|大;) ]7 N2 n$ U; w
B)
层错形核的|DGv|大;
5 ^& s, T3 P! U% U1 M
! [+ Q/ {% J' O3 Y  g, kC)
层错形核的|DGs|小;0 h0 K% @$ n1 V* e9 `
D)
层错形核的 (界面能)小。
9 P6 Q2 O4 L; | & [: W" b' M3 e) U* d& t) u
2、在A,B两组元组成的置换固溶体中,若ra>rb两组元的热力学因子
  o" [6 q4 _  sFA
( R/ B: Y$ @9 w* q+ t% M* |! uFB
之间的关系是:- K3 H# D- F* B! Y- I

! K  b7 t3 k4 uA) FA>FB
: V# B; n' k+ ^9 T6 yB) FA<FB7 m# {' [9 t) o$ H
6 [' V9 ?# y8 B3 x% ]' \! F$ k
C) FA=FB
7 X* Q) l2 ~7 q, E/ c5 Y, P! E. p, O$ j6 Z& v
D)
无确定的数量关系% n- c$ M( K( L$ o

9 j- d1 S; n* W  s$ ]  q( M3、晶界作为高扩散率通道的作用和! N) r+ Z* K/ l% {3 b$ \
* J2 Z7 O) Z* x' Q( p( ^
A)
温度有关,温度越高晶界作用越明显;
( s/ q$ r) ~+ _' s6 I% @* z; iB)
温度有关,温度越高晶界作用越不明显;% S* d/ o8 q. f6 j4 I% n$ H

, @0 h; g- E% T. H' `; TC)
溶质浓度有关,浓度越高作用越明显;: O! Z$ e& s! Y: f( l
D)
溶质浓度有关,浓度越高作用越不明显。4 V" c6 Z$ V% G
; g8 \( Q$ f' J( t( ?  x
4、小角度扭转晶界和倾转晶界的区别是
# K$ x$ e0 i! ?1 n: G# `/ a: ?1 ^" `- S7 n" b6 _0 [9 ]
A)
倾转晶界的转动轴和晶面垂直,扭转晶界转动轴和晶面平行;. V* U, z, I9 _; |2 N" ~1 q

$ s% W  M6 {1 |  _" IB)
倾转晶界由两组螺位错交叉组成,扭转晶界由一组刃位错组成;
+ r  U4 r* h1 Z7 p2 E+ F
6 ]0 M2 x9 j, ZC)
倾转晶界由混合位错组成,扭转晶界由一组刃位错组成;$ r( T# Y1 U; e; h

6 l3 d# I% E( T6 K- |D)
倾转晶界由一组平行刃位错组成,扭转晶界由一组交错的螺位错组成。
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