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硅中注入硼的扩散& m' @5 ?% O3 m. M) F
孔凡志, 文勇军, 廖家欣, 唐贵平4 j- L+ `+ }2 k
(长沙电力学院物理与信息工程系,湖南长沙 410077)
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中图分类号:TG113. 22 文献标识码:B 文章编号:100627140 (2003) 0220083204/ V, j5 b7 c- q, y
0 n3 M; [! C7 j/ M摘 要:硼是半导体材料中最主要的杂质,而精确控制杂质浓度剖面是半导体工艺的关键问题之一. 对硼在硅中的扩散从理论与实验的结合方面进行了系统的讨论.
& r) U8 N0 P: ~3 U7 c+ ]9 ]4 Y - X& t0 d6 P6 q6 \4 U2 v
关键词:扩散;快速热退火;辐射损伤;Fair 理论- @" ?7 j- q G8 d+ A+ J8 H3 z: e
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来源：《长沙电力学院学报( 自然科学版)》第18 卷第2 期 2 0 0 3 年5 月
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[ 本帖最后由 清风明月008 于 2007-10-30 21:42 编辑 ] |
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发表于 2007-10-30 20:27:13
