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《晶体硅太阳电池铝背场的研究》% Q- g* A0 l! R7 M: o4 B/ S4 P# H4 }
PDF格式
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（云南师范大学太阳能研究所）
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4 z( p, f h! c! P* Q8 t. Q摘 要:7 W N+ ?" t2 C/ O; h s( j
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文章比较了两种不同铝浆在相同的烧结条件下，得出两种不同铝浆的烧结情况，通过电镜扫描分析了两种铝浆所含杂质元素及铝浆剖面情况，得出烧结平整性较好，颗粒较小与硅片接触较好以及不含其它杂质复合中心的铝背场，其电池的开路电压和长波光谱响应要好。该部分研究对工业化生产具有较大的参考价值。
. D* x5 J. I8 q8 E7 c关键词:
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+ L4 A, r/ N& X/ {: D- x 铝背场 光谱响应 开路电压
: O \3 Y$ W, l1 H& O
5 \9 T3 E4 _( f t[ 本帖最后由 新洁电子 于 2007-10-31 08:57 编辑 ] |
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发表于 2007-10-30 20:25:56
