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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴4 v k7 V' s7 } `
(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)( b7 Q( O Q3 q8 t+ E
摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体" o% |) @' r, o! I3 h- q7 P
硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间: v% G& ?+ R# `) C9 ~
和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化, S7 b% q) @ R6 I6 y& ^% m2 m
度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %
U G% e4 h. o/ O6 B4 a( r5 s的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.6 c0 V: ^1 O$ m8 x; ~- I
关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)' L" z4 d4 E7 K8 q
PACC: 7340L ; 7360F ; 8115H
- K9 s9 j& X( t7 G. I% b# E: @# Q' ?中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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