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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴) ]% r/ b7 A5 l+ x; L* D& Z6 q5 k. y
(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)
% }0 |! z8 V @& ]摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体- m& Q, {0 U0 N" \6 z e
硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间
1 q4 s! ^; h' T" i6 R和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化+ `3 W6 l* F0 |0 t* u
度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %
$ Q- u, B# S6 u+ A) A) R' a的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.
. i8 ?) V* C2 [# b8 i关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)8 B K+ i" k4 b1 [: ?9 l
PACC: 7340L ; 7360F ; 8115H, n/ u/ J5 O0 F0 e( i* N
中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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