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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴4 f, W p% \' v$ H& S
(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)7 g. l4 f0 v K7 I# U* m9 a: L
摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体
) d# g, D% D% _硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间
7 Y& I! E" R4 y1 R" E3 b和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化
; k- B/ k2 L" Q9 \: Q/ h+ k& ]度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %
& i! g- Z# R9 o0 c的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.8 H& D+ K- ?3 w9 v6 v
关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)
5 K/ T8 _. ?8 L( ^, D6 pPACC: 7340L ; 7360F ; 8115H
5 e5 f6 V( [ L% M! N# Y6 X中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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