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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴
' S! G9 r$ G. A6 T(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)" {7 M; p" G( R9 X( R. F
摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体
1 ^8 v0 p' O$ f" b* z) k1 X' e硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间
4 w# o5 _3 N" G' Q) k* J3 p/ b8 G4 Q和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化
' k3 ]$ e4 x: U! z度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %% G7 J; b6 }& M! C6 [9 a4 E& b4 G, q
的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.# X) i3 W+ F# M3 Y5 }9 i9 [' d
关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)
; C' I4 y8 v* }! a& |; ]) SPACC: 7340L ; 7360F ; 8115H9 p0 _/ N0 p u9 B
中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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