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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴
8 |) L$ x6 V1 b! h8 C" \(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)
- Z9 n4 B. j/ l; {+ G) u摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体
4 {) ]7 b- ?! w/ Y5 w0 [硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间8 N( ?# s# {. ?" m/ n
和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化
7 h: i3 m* }8 ~度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %0 J$ `$ Q8 M' w4 t3 Y5 X
的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.
" y. w Y) p6 s+ H. {8 m关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)$ t2 n# r. T, S% e
PACC: 7340L ; 7360F ; 8115H! n$ E2 }' T8 X( C4 t
中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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