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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴) S0 j' e8 X' E# @4 R! ^# u3 {8 w
(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)
# r# Y+ u1 S6 T; [9 |5 ]6 x摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体
* L8 ~( S* s$ ]; S) C# q/ s硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间
4 A1 {5 ~, P6 S& ^) p和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化
2 A7 J4 @4 I3 |0 y( O$ o度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %: _2 t( b) y& F$ O0 k$ |
的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.9 }+ J6 l. d$ L3 N; v
关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)
3 V- I" B# Y* J: l$ D1 {8 wPACC: 7340L ; 7360F ; 8115H @. {' O* s' K# w* a% R
中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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