当半导体材料形成p-n结时，由于载流子存在浓度差，n区的电子向p区扩散，而p区的空穴向n区扩散，结果在p-n结附近，p区一侧出现了负电荷区，而n区一侧出现了正电荷区，称为空间电荷区。空间电荷的存在形成了一个自建电场，电场方向由n区指向p区。虽然自建电场分别阻止电子由n区向p区、空穴由p区向n区进一步扩散，但它却能推动n区空穴和p区电子分别向对方运动。 3 h0 d' C! n0 H' L: Q; X8 Y$ w. s S 当光子入射到p-n结时，如果光子能量hν大于禁带宽度Eg，在p-n结附近激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，n区的光生空穴被拉向p区，p区的光生电子被拉向n区，结果n区积累了负电荷，p区积累了正电荷，产生光电动势。若将外电路接通，则有电流由p区流经外电路至n区，这就产生光生伏特效应。
发表于 2007-7-9 10:18:58
发表于 2007-7-16 00:05:49