物理气相沉积工艺(PVD)是指在真空条件下,至少有一种沉积元素被雾化(原于化)情况下.进行的气相沉积工艺。它可以用辉光放电或等离子体的作用辅助进行,这时称为等离子辅助PVD(PA—PVD)。物理气相沉积能够在各种基材上沉积金属合金、陶瓷和聚合物膜层,基材的界面可以得到改进,膜层的特性(即厚度、结构和组成)可以控制。与化学气相沉积(帅)相比,它具有沉积温度低(CVD为800—1200℃,PVD为200一400℃)、沉积速度高(CVD为1一2微米/小时,PVD为4—50微米/小时)等特点。/ \# G0 O( Q* ~9 w Q2 e
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