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[书籍] 纳米粒子与纳米结构薄膜

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发表于 2006-12-26 08:35:52 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自: 中国江苏常州

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纳米粒子与纳米结构薄膜' p0 P0 Q& F! L$ x2 E
编    号: 5664
+ W5 N" u+ l: |2 ]/ e' [著 作 者: [美]J.H.芬德勒/ Z! P7 O4 R# L- U: _9 |/ p
出 版 社: 化学工业出版社
4 Q. [1 }% G6 a6 N* r5 q& n6 n书    号: ISBN:7-5025-4604-9/T8 R! v, L7 Y: {& ^
出版日期: 2003-8-11 h8 N% P5 t; b+ _# z* F
书 店 价: 50
* B" n1 W) \0 n人    气:  594   u; O/ C* J& O: x0 W

$ @7 U8 }0 e' P  w' a7 [3 [5 S8 g( w( O4 J! i4 }! X8 b$ C
http://shop.china-fireren.com/images/cha1.gif 产品介绍:
http://shop.china-fireren.com/images/spacer.gif
简介 * w, f: n8 W% S* z
     本书是由世界著名纳米材料学家J.H.芬德勒主编,作者包括38位活跃在纳米科学研究领域的知名学者。这些作者分别从自己所熟知的研究领域,全面描述了纳米粒子与纳米结构薄膜的制备方法、独特性能、应用前景和发展趋势等。本书是纳米粒子和纳米结构薄膜材料方面的一本较系统、完整的参考书,可供纳米科研领域的科技工作者及高等院校的师生参考。  
* _; k) r% l. @目录
! Q3 i! I; v  @! C/ l第1章  电沉积量子点——通过半导体与衬底之间的晶格失配控制其尺寸
6 \6 L* b  Y0 V% j6 J2 W% D  1.1  引言 ( q0 `2 ^$ x* @& g
  1.2  CdSe/Au体系' S; G* V0 P% M, b9 U
  1.3  半导体点阵间隔的调整——Cd(Se,Te)/Au
  W9 Q0 H' y6 G3 O& |  1.4  衬底点阵间的调整——CdSe/Pd
$ h4 }- P6 E3 a6 L' W2 B4 ^  1.5  在Au和Pd衬底上沉积较厚的CdSe层
1 K6 M% h  _4 g+ @' c' q7 b  1.6  其他半导体-衬底组合体系
8 o7 h5 U5 f" K! o; J- W  1.7  带隙测量& i4 N/ G" T: J  R1 B. Q! l
  1.8  结论与展望 第2章  有序体系的纳米粒子取向生长' w, ^) a6 z) o1 C, x* j( @
  2.1  导言
% g% C3 u8 _9 ?  2.2  在自装单(分子)层和多层膜上的取向晶体生长
& T2 M& N4 ~; {% Y2 r& F  G- C  2.3  在LB膜上的外延晶体生长  ?  b$ a5 X: S  u3 n( }( B
  2.4  朗缪尔单层膜为模板的处延晶体生长" S5 X" h' f6 ]' u8 t) n  G, g
  2.5  在(分子)层膜上的氯化钠晶体生长
( @) [: v, w  N7 r& f, A  2.6  生物矿化9 B' f1 b7 x* x" a
第3章  超晶格和纳米复合材料的电沉积# N1 N% t  N- V4 l( S; t# I
  3.1  导言# s# W, Q/ ^4 v! V5 a4 q# L
  3.2  无机材料的电沉积
! [. z1 T% R% [+ {1 j  3.3  纳米固体(相)材料的电沉积5 L# X! y5 g8 N3 H7 X6 h' h
  3.4  超晶格的分析表征
- p* Z, F4 K+ C! i  3.5  外延生长的原位(In Situ)研究
# q5 B' m8 V  [, X( q; Z  3.6  纳米复合材料的电沉积3 F2 U/ X( w( a8 [$ J5 l2 Z
  3.7  展望2 f1 G0 ?0 E/ ~6 A. M
第4章  在有序化表面活性剂组装中纳米粒子生长的尺寸与形态控制/ y4 y5 e6 X+ s8 [6 U# S
  4.1  引言% F+ m4 L8 P; w! X& c6 P( Z
  4.2  逆胶束( {. @$ v9 z! M; U7 \6 C' X! j) Q  W
  4.3  水包油(型)胶束# p* P7 K: W) K+ d# U
  4.4  互联式体系
4 p% B6 {: e. ]8 P- M& ?/ J" H) n  4.5  平衡态洋葱型和平面型层状相' q  O( `8 Z( c+ g! C
  4.6  球粒
4 h0 J. r6 C% Q  z& l  4.7  二维(2D)和三维(3D)超晶格中纳米粒子的自组织化
7 j: U8 d* @! j  4.8  结论. S$ @  y5 L' ?1 z1 T! a
  
8 p5 ?: k: g0 u3 k/ ]4 w' y第5章  硅纳米团簇的合成
$ ^0 J8 V8 o6 s  5.1  引言, ~3 P2 z. N) E" p% T
  5.2  量子限制; \# }* x, G) L/ J' T' Y
  5.3  半导体纳米团簇的研究进展
% l; v5 |* H# S# m) X* H  5.4  硅纳米团簇的合成方法
! u1 E( @+ p& U. G  l8 E  5.5  分析表征
4 y3 I( K; k, s  5.6  小结8 A+ a1 N3 ]3 y1 y" J
第6章  富勒烯与纳米粒子的二维晶体生长
; i2 N" \3 f! B$ r4 z& k; A" T3 N" \  6.1  引言- {  J2 S2 q. M( K
  6.2  纯富勒烯  g8 Y" U7 l6 K9 M
  6.3  官能化富勒烯衍生物的LB膜1 [* C7 @$ E/ N7 n3 [1 [. J
  6.4  富勒烯共价键连接自组装单层薄膜和官能化富勒烯衍7 t9 C' ]' P" {: ~6 O  q  K3 M) F
  6.5  展望与应用
5 O  \+ v9 O+ J! T1 G# ?  
3 N4 v9 k7 X- m! M8 I第7章  嵌段共聚物胶束中的金属胶体:形成及材料性质
1 s4 T# Y; U1 f! a! J  7.1  引言
9 Q, K5 [. u, b% O: _7 d; }  7.2  双亲嵌段共聚物作为胶体专用保护体系的研究现状
( V+ ^8 C/ [9 U  h: q, Q4 o  7.3  双亲嵌段共聚物及其聚集行为化学;胶束填充及束内键联
: H2 N  X7 K* q9 [# X' l) y  7.4  在有机溶剂中存在双嵌段共聚物时的金属胶体合成! m. U& u7 Q: `1 I
  7.5  在水或相关极性溶剂中存在双亲嵌段共聚物时金属胶体的合成3 Y5 C2 f" f# }0 O: U+ ?4 Y* ^6 x
  7.6  双亲嵌段共聚物稳定化金属胶体的催化性质
0 I9 ~# f4 E& ^! S  7.7  双亲嵌段共聚物稳定化Co胶体的磁学性质7 ]+ }% e: z# b1 j- k7 G$ G
  7.8  结论与展望
! y( _; ~- J0 x- ~  
' z) U& I9 B& J) z, _第8章  硅纳米粒子的等离子体生长及晶化处理) D1 v; l8 \( }3 y* a/ s. }
  8.1  导言
, h5 ]4 t# B3 o. w1 a' v* k  8.2  实验方法8 I( ?+ |; K) A
  8.3  硅纳米粒子的结构
0 Q6 L8 Y: e5 f. Z% ^5 J2 j& T3 M  8.4  硅纳米粒子合成及相关性质8 l1 B# Y  V0 r6 U% t# v; i
  8.5  硅纳米粒子的加工处理
) ~0 f" I5 Y& O9 [% Z- K  8.6  结论与展望- ]  D$ D$ q& z/ L
  2 \! o. e# x- `
第9章  纳米结构半导体薄膜中的电子转移过程, D( ]2 O) `" N* \- L
  9.1  导论8 e$ ^4 `9 X. ^- H. z
  9.2  纳米结构半导体薄膜制备及其表征
1 X9 I7 Q4 d1 i8 a  z. i" b5 [  9.3  光学性质
: @  h. C2 o$ x& D+ S  9.4  半导体薄膜中的电子转移及其机理. s* Z, D# w% Z  a+ T7 Z  H& `" d/ i
  9.5  结论
- n9 L/ n6 O) e+ R& _  ! V- L+ I' |  A# n% O! K
第10章  在纳米孔薄膜中的纳米粒子模板合成方法, V+ e5 n1 ]9 c0 G2 l' O% H3 y
  10.1  引言' Z0 Z0 f+ w% g# i
  10.2  所使用的薄膜
. Q0 F2 P  @6 ]1 K' h* ]* [  10.3  模板合成之方略
% K) r) s' i, Y' a) o. w  10.4  复合纳米结构  Q- m* g* m6 I  p1 Q# ]% N+ o( B
  10.5  金纳米粒子的光学性质  
& p0 F* F  r3 M! C9 S8 |  10.6  纳米电极系统(NEE)- A* n( a) Q  f: ~. G" S
  10.7  金属纳米管薄膜' X" M# j$ ^. t% i# |; b! j+ u
  10.8  半导体纳米管和纳米纤维
. b# W* H* F) i1 u$ u  10.9  结论2 N8 }7 z+ Q4 G1 m7 @- ?& I
第11章  纳米粒子聚集体光催化特性与其结构形态的相关性研究
# M1 W. x0 U9 b% ~7 c3 ~8 Y  11.1  引言
/ @" ^' v$ w4 E2 c2 t  11.2  TiO2气凝胶" f# @+ v( }; x2 X/ l+ y6 l" l" M
  11.3  协同结构的演变
$ Q1 H: W+ E4 T) J+ [  11.4  量子效率1 ^6 F5 {+ {' Z# K1 `- b& \+ h' n3 ?0 W
  
# o2 e8 |8 I& D9 w2 f第12章  Zeta(ζ)电势与胶体反应动力学+ Y2 M. R% o% ]; t& u$ n
  12.1  引言4 e' N4 j: ~, N% a6 D9 l
  12.2  金属氧化物周围的双电层(EDL)
: M8 Y+ c3 i- L  o2 h5 ^  K  12.3  胶体电子转移动力学——理论, x' H5 }0 k- p
  12.4  胶体动力学——实验数据/ D- t6 H1 `7 c1 ~* b5 b
  12.5  Zeta(ζ)电势对自由基捕获率的影响
1 \3 a, q6 B+ e6 ?: c  12.6  胶体成核和纳米粒子稳定性
  m8 Y6 w! Y) |% [% e; k* {  6 h2 d4 t+ D) P6 @7 z/ _
第13章  三维基体中的半导体纳米粒子  
) h  q& |: W4 f  e) P8 g0 u  13.1  引言
! C: u3 k3 V% \/ ~: E  R  13.2  材料问题8 Y; h  A# Z* }. N$ P
  13.3  光学性质; M! Y, c- l6 `4 S+ G% C* `- `
  13.4  输运性质: P* z& O# s: O! e. c& p+ ^9 M
  13.5  展望5 e9 C2 L) H1 A$ O0 q$ d
第14章  纳米金属氧化物半导体-溶液界面的电荷转移:电致变色-电池界面和光伏        打-光催化界面行为之间的力学和能量学联系# q, q- Z/ O2 W: u/ t
  14.1  引言% J6 d3 o; B  \9 r6 G
  14.2  电致变色
/ R: V5 q, A1 ?- R; S. n  14.3  光生伏打学! ^2 H) V- @5 k8 d/ _8 C( x
  14.4  能量学方面的考虑
# }3 g5 h1 ?" U( J; _  14.5  结论3 M8 T  A# l; W
  
9 A8 S$ L! k9 f3 s# X% S  f. A  A第15章  纳米粒子中介型单电子导电性9 d( q; R/ v/ T
  15.1  引言
$ F$ u2 h  Z% z4 g( n: d' T$ W  15.2  历史评述6 j$ }  u4 k# T9 t
  15.3  单电子导电性- W2 S; J2 R. Z, r: Y  ^
  15.4  纳米粒子作中介的单电子导电性) ^0 @0 l. a* m3 x
  15.5  结论7 I. E  n: \$ |0 ~9 u$ a
  8 n; G' i6 `) E3 m$ c: {
第16章  杂型超分子化学
1 s9 E0 `: I" Y' d: F  16.1  引言
1 y  n( g3 }' Y  16.2  杂型超分子
4 c: n7 @% g- Q+ V: S# X  16.3  杂型超分子组装
8 ]) K1 q+ i% q2 o1 Q0 x& O$ l$ I  16.4  杂型超分子化学和分子规模器件& }4 @3 P: ~, O* k
  
6 V, |9 m, t$ Y6 Q0 R2 @- |第17章  沸石中的纳料团簇: H( @& X$ r1 Y  u
  17.1  引言
7 q% }4 R9 _( w. Y  17.2  在沸石主体材料中的进行纳米粒子的合成
; w" ~4 j5 o, G! o9 t  17.3  沸石主体材料中进行金属粒子和离子团簇的合成4 a2 ?( @9 S$ u3 }* Q
  17.4  展望
; H# ^) c* R/ U2 J+ t7 j第18章  纳米粒子和纳米结构薄膜的研究现状与展望
' l; n+ h0 u2 J& }2 |8 ^& A$ L  18.1  引言( ^( n/ G1 f% @- s
  18.2  纳米粒子和纳米结构薄膜的研究现状  C, F! W- W# x* _& r
  18.3  半导体纳米粒子与其体相半导体性质的比较
6 S  O0 {$ d4 `8 V3 @  18.4  发展趋势与展望
9 l* i# c, |8 e6 a5 G4 ~9 f* f) C/ D0 H
共6个分卷  12MB
  R8 M* G0 y& M3 I

8 f& a5 ]* B0 b. ?* s
) b; [% }+ y) o- d* A4 Y7 R; T' R[ 本帖最后由 zzb7240 于 2006-12-26 08:44 编辑 ]

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