各位能不能上传一些判断电子元件好坏的资料

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判断电子元件好坏对我们很有用途，大家发点上来哈。借剑一下，谢了

[ 本帖最后由 yqwfk 于 2006-12-29 09:05 编辑 ]

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定性判断场效应管、三极管的好坏
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; s1 ~! [: a; ]* o: Z+ w" X定性判断场效应管、三极管的好坏
6 }. I; \. W3 x, h4 ]* n8 ?一、定性判断场效应管的好坏

* D9 `2 v' X3 F- i' G先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的 。

二、判断结型场效应管的电极
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将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。

判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。
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6 w. d& F, L6 H注意事项：

（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。

/ u/ l+ x5 K0 k（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。
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3 l1 d- o2 A$ g7 o, J! t' N三、晶体三极管管脚判别

三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b，目前常见的三极管有硅平面管和锗合金管两种，每种又有PNP和NPN型两类。
+ w; m' u, b- s& a( K* Q, [这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。
8 N' h' o& j8 Y! ?7 {1.找出基极
对于PNP型三极管，C、E极分别为其内部两个PN结的正极，B极为它们共同的负极，而对于NPN型三极管而言，则正好相反：C、E极分别为两个PN结的负极，而B极则为它们共用的正极，根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。具体方法如下：
将万用表拨在R×100或R×1K档上。红笔接触某一管脚，用黑表笔分别接另外两个管脚，这样就可得到三组（每组两次）的读数，当其中一组二次测量都是几百欧的低阻值时，则红表笔所接触的管脚就是基极，且三极管的管型为PNP型；如用上述方法测得一组二次都是几十至上百千欧的高阻值时，则红表笔所接触的管脚即为基极，且三极管的管型为NPN型。

( L+ ?3 W# H/ H  v) c& v1 ~; d# y2.判别发射极和集电极
7 A! U3 a5 s. @5 i由于三极管在制作时，两个P区或两个N区的掺杂浓度不同，如果发射极、集电极使用正确，三极管具有很强的放大能力，反之，如果发射极、集电极互换使用，则放大能力非常弱，由此即可把管子的发射极、集电极区别开来。
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" \) r3 W. H, h+ N. o5 Y6 A在判别出管型和基极b后，可用下列方法之一来判别集电极和发射极。

（1）将万用表拨在R×1档上。用手将基极与另一管脚捏在一起（注意不要让电极直接相碰），为使测量现象明显，可将手指湿润一下，将红表笔接在与基极捏在一起的管脚上，黑表笔接另一管脚，注意观察万用表指针向右摆动的幅度。然后将两个管脚对调，重复上述测量步骤。比较两次测量中表针向右摆动的幅度，找出摆动幅度大的一次。对PNP型三极管，则将黑表笔接在与基极捏在一起的管脚上，重复上述实验，找出表针摆动幅度大的一次，这时黑表笔接的是集电极，红表笔接的是发射极。
这种判别电极方法的原理是，利用万用表内部的电池，给三极管的集电极、发射极加上电压，使其具有放大能力。有手捏其基极、集电极时，就等于通过手的电阻给三极管加一正向偏流，使其导通，此时表针向右摆动幅度就反映出其放大能力的大小，因此可正确判别出发射极、集电极来。
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（2）将万用表拨在R×1档上，将万用表两个表笔接在管子的另外两个管脚，用舌头舔一下基极，看表针指示，再将表笔对调，重复上述步骤，找出摆动大的一次。对与PNP型三极管，红表笔接的是集电极，黑表笔接的是发射极；而对于NPN型三极管，黑表笔接的是集电极，红表笔接的是发射极。

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如何判断红外发光二极管的好坏

1 z$ K: {  ?+ P. G  w  测试红外发光二极管的好坏，可以按照测试普通硅二极管正反向电阻的方法测试。
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    把万用表拨在R×100或R×1K挡，黑表笔接红外发光二极管正极，红表笔接负极，测得正向电阻应在20≈40K；黑表笔接红外发光二极管负极，红表笔接正极，测得反向电阻应大于500K以上。测试方法如图1-1。
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    把万用表拨在R×100或R×1K挡，黑表笔接红外发光二极管正极，红表笔接负极，测得正向电阻应在20≈40K；黑表笔接红外发光二极管负极，红表笔接正极，测得反向电阻应大于500K以上。测试方法如图1-1。

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1、用万用表电阻档检查电解电容器的好坏
　　电解电容器的两根引线有正、负之分，在检查它的好坏时， 对耐压较低的电解电容器(6V或 l0V)，电阻档应放在R×100或 R×1Ｋ档，把红表笔接电容器的负端，黑表笔接正端，这时万用表指针将摆动，然后恢复到零位或零位附近。这样的电解电容器是好的。电解电容器的容量越大，充电时间越长，指针摆动得也越慢。

2、用万用表判断电解电容器的正、负引线
　一些耐压较低的电解电容器，如果正、负引线标志不清时， 可根据它的正接时漏电电流小(电阻值大)，反接时漏电电流大的特性来判断。具体方法是：用红、黑表笔接触电容器的两引线，记住漏电电流(电阻值)的大小 (指针回摆并停下时所指示的阻值)，然后把此电容器的正、负引线短接一下，将红、黑表笔对调后再测漏电电流。以漏电流小的示值为标准进行判断，与黑表笔接触的那根引线是电解电容器的正端。这种方法对本身漏电流小的电解电容器，则比较难于区别其的极性。

3、用万用表检查可变电容器
5 B5 a6 X: C/ h$ ~$ c  {" C6 I( ]1 B　　可变电容有一组定片和一组动片。用万用表电阻档可检查它动、定片之间有否碰片，用红、黑表笔分别接动片和定片，旋转轴柄，电表指针不动，说明动、定片之间无短路(碰片)处；若指针摆动，说明电容器有短路的地方。
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4、用万用表电阻档粗略鉴别5000PF以上容量电容的好坏
　　用万用表电阻档可大致鉴别5000PF以上电容器的好坏(5000PF以下者只能判断电容器内部是否被击穿)。检查时把电阻档量程放在量程高档值，两表笔分别与电容器两端接触，这时指针快速的摆动一下然后复原，反向连接，摆动的幅度比第一次更大，而后又复原。这样的电容器是好的。 电容器的容量越大，测量时电表指针摆动越大，指 针复原的时间也较长，我们可以根据电表指针摆动的大小来比较两个电容器容量的大小。

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简单的方法判断常用集成电路的质量及好坏

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　一看: 封装考究,型号标记清晰,字迹,商标及出厂编号,产地俱全且印刷质量较好,(有的为烤漆,激光蚀刻等) 这样的厂家在 生产加工 过程中,质量控制的比较严格。

1 W$ Z) i9 i4 s　　二检: 引脚光滑亮泽,无腐蚀插拔痕迹, 生产日期较短,正规商店经营。

　　三测: 对常用数字集成电路, 为保护输入端及工厂生产需要,每一个输入端分别对 VDD GND 接了一个二级管,(反接), 用万用表的测二级管档位可测出二级管效应, VDD GND 之间电阻值静态在 20K 以上, 小于 1K 肯定是坏的。
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$ W1 p& }4 x$ n4 T  h( X* k8 X! V　　对常用模拟及线性集成电路, 通常要插入应用电路中才可判断,为安全考虑, 建议先焊一同脚位的集成电路插座, 确信外围电路无错误再插入集成电路, 万一不好可找商家更换。

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成电路的正常可靠数据，以便和待查数据相对比。
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8 N9 X4 w: s! ~# A. Y/ Y- @) C测量时要注意以下三点：

    1.测量前要先断开电源，以免测试时损坏电表和元件。

    2.万用表电阻挡的内部电压不得大于6V，量程最好用R×100或R×1k挡。

    3.测量IC引脚参数时，要注意测量条件，如被测机型、与IC相关的电位器的滑动臂位置等，还要考虑外围电路元件的好坏。

0 Y: T/ P7 b$ G- _$ J  r5.    非在线数据与在线数据对比法
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所谓非在线数据是指集成电路未与外围电路连接时，所测得的各引脚对应于地脚的正反向电阻值。非有线数据通用性强，可以对不同机型、不同电路、集成电路型号相同的电路作对比。具体测量对比方法如下：首先应把被查集成电路的接地脚用空心针头和铬铁使之与印刷电路板脱离，再对应于某一怀疑引脚进行测量对比。如果被怀疑引脚有较小阻值电阻连接于地或电源之间，为了不影响被测数据，该引脚也可与印刷板开路。直至外电路的阻值不影响被测集成电路的电阻值为止。但要注意一点，直流电阻测量对比法对于不同批次同一型号的集成电路，有一定的误差和差异，对这种情况，要在了解内部结构的基础上，进行分析、判断。

& T1 Q1 L5 x3 e: u6.    替换法

. O* t: J$ d. u  v用替换法判断集成电路的好坏确是一种干净利索的事,可以减少许多检查分析的麻烦。但必须注意如下几点：
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' a7 A, r9 D6 \6 ?" Z3 Q! I4 j* b9 K1.    尽量选用同型号的集成电路或可以直接代换的其它型号，这样可不改变原机电路的引线，简便易行，容易恢复原机的性能指标。
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+ h. H" O# J, u$ b/ o2.    更换拆焊原机上的集成电路时，不要急躁，不能乱拔、乱撬引脚，用所具备的条件选择最适合拆卸集成电路的方法。
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) k: p2 F6 a  s( \: Z3.    在还没有判断外围电路是否有故障，以及未经确认原集成电路已损坏之前，不要轻易替换集成电路，否则换上去的集成电路有可能再次报废。

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谢谢了哈,大家再多发一些相关的帖子吧