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[讨论] 最新内置电源SD6602D/SD6604D士兰微方案

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发表于 2016-5-24 20:03:11 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自: 中国广东中山

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低成本  DIP封装  散热好  
D6604D   18-24瓦   输出280MA 电流方案  单电压  Q Q 2892715427
4 ~( r6 {! C8 g! Y- W4 i
  SD660X 系列 IC 是一款高精度、低成本的原边反馈 LED 恒流驱动芯片,此芯片采用特有的恒流控制技术,不需要 光隔离器、次级反馈控制、环路补偿及变压器辅助绕组等,降低系统成本和体积,具有非常高的稳定性和平均效率。
    此芯片工作于断续模式,通过峰值电流采样电阻设定输出电流。  

" p! _* j$ {9 k. i1 ^# W
SD660X 为内置650V 高压 MOS 管,适用于输出 功率 15W 以下,其中SD6601S,输出功率为 1-5W,SOP-7 封装

5 q( q1 N' g0 c( k; `) W
PCB 布线     
1).尽量减小功率环路的面积,减少 EMI 辐射;  
  2).尽量加大 IC 的DRAIN  引脚覆铜面积,用于增加芯片散热面积;但DRAIN 太大也会影响 EMI 辐射,请做的适当 考虑;  
  3).尽量将VCC 的旁路电容靠近芯片引脚;  
  4).尽量减小采样电阻的地线与功率地的长度;

6 o$ n9 P, ?- w" P8 ]1 `0 H
& w* [* r6 O0 J2 S) H0 p2 V
    典型的选择如输入电容范围为90Vac-264Vac,输入电容大小为2~3uF/W。

) B+ w- @! s" h; L
整机效率偏低的问题  
; Q) v- v$ v$ k1 K
   1).变压器设计不合理,比如线径太细、匝数太多、漏感偏大等等因素;

6 _* S0 j( r' u* T# Q
   2).整机系统工作频率太高,导致开关损耗增加;

0 c1 i2 |, c( d  x  _
   3).启动电阻太小,造成高压输入时,损耗加大;

- K) m- z2 O7 r+ @- O8 ]
   4).输出整流二极管的选择不当,也会造成效率偏低;

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8 Q8 T6 l- d; h( \( Q) _9 a
   5).输出滤波电容选择不当,会造成输出损耗偏大,而引起效率偏低
! Q' ~6 G+ O5 @/ v8 z, _
5.png 22.png
3 }  c. }4 \8 u5 Z, G2 C: m

+ x7 k, Z. E- p
 楼主| 发表于 2016-5-24 20:08:46 | 显示全部楼层 来自: 中国广东中山

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低成本  DIP封装  散热好  8 F* ]% m$ A1 C7 C! D1 m% z7 n
D6604D   18-24瓦   输出280MA 电流方案  单电压  

SD660X应用说明书_0.1.pdf

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