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[讨论] 最新内置电源SD6602D/SD6604D士兰微方案

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发表于 2016-5-24 20:03:11 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自: 中国广东中山

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低成本  DIP封装  散热好  
D6604D   18-24瓦   输出280MA 电流方案  单电压  Q Q 28927154275 |& F& B9 ]2 C( R( ]" T) s
  SD660X 系列 IC 是一款高精度、低成本的原边反馈 LED 恒流驱动芯片,此芯片采用特有的恒流控制技术,不需要 光隔离器、次级反馈控制、环路补偿及变压器辅助绕组等,降低系统成本和体积,具有非常高的稳定性和平均效率。
    此芯片工作于断续模式,通过峰值电流采样电阻设定输出电流。  
1 j4 v+ G4 n% y
SD660X 为内置650V 高压 MOS 管,适用于输出 功率 15W 以下,其中SD6601S,输出功率为 1-5W,SOP-7 封装

" n% L" j: z$ m
PCB 布线     
1).尽量减小功率环路的面积,减少 EMI 辐射;  
  2).尽量加大 IC 的DRAIN  引脚覆铜面积,用于增加芯片散热面积;但DRAIN 太大也会影响 EMI 辐射,请做的适当 考虑;  
  3).尽量将VCC 的旁路电容靠近芯片引脚;  
  4).尽量减小采样电阻的地线与功率地的长度;
8 ]; Q2 d) l/ l2 O- k& B1 i

- ]# ^- x. r% M5 X5 ?
    典型的选择如输入电容范围为90Vac-264Vac,输入电容大小为2~3uF/W。

8 R* H% _2 F4 Q! x9 \# }
整机效率偏低的问题  
' h& O0 P% ^. ~7 W! B' P: }! y. O
   1).变压器设计不合理,比如线径太细、匝数太多、漏感偏大等等因素;
% F2 g9 [; E6 x) O
   2).整机系统工作频率太高,导致开关损耗增加;

" Y; r- w( e% l' X. n0 d
   3).启动电阻太小,造成高压输入时,损耗加大;

* V5 P; p' L" {* V& b  t6 y
   4).输出整流二极管的选择不当,也会造成效率偏低;

2 j; h3 J$ V7 \8 e1 @1 k
, B: N( \! F1 c4 X5 Q0 z( E
   5).输出滤波电容选择不当,会造成输出损耗偏大,而引起效率偏低
0 ]5 E+ B2 ]* L9 }4 I) F
5.png 22.png 7 S- d% e/ ]; b8 @
5 }8 E0 O2 J! C  ]2 `( |/ t' P
 楼主| 发表于 2016-5-24 20:08:46 | 显示全部楼层 来自: 中国广东中山

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( I5 @9 J, w9 n: ^* }, A低成本  DIP封装  散热好  
- i" B8 g% b+ C+ J! c& }D6604D   18-24瓦   输出280MA 电流方案  单电压  

SD660X应用说明书_0.1.pdf

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