真空镀膜技术及设备两百年发展历史二

luxuliang

4 V- m$ |9 ]  O  ]  h20世纪的前50年
+ u) e; z! h8 r  T2 r1904年, 圆筒上溅射镀银获得专利(Edison)。
1907年, 开始研究真空反应蒸发技术(Soddy)。 1913年, 吸附等温线的研究(Langmuir,Knudsen,Knacke等)。
+ z: @1 U- a9 v- {1917年, 玻璃棒上溅射沉积薄膜电阻。
1920年, 溅射理论的研究(Guntherschulzer)。
1928年, 钨丝的真空蒸发(Ritsehl,Cartwright等)。
1930年, 真空气相蒸发形成超微粒子(Pfund)。
% d2 r/ o8 {& f! i9 `1934年, 半透明玻璃纸上金的卷绕镀(Kurz,Whiley); 薄膜沉积用的玻璃的等离子体清洗(Bauer,Strong)。
7 \3 k  w3 e, Q( B6 s- q6 _5 S4 @4 z3 o1935年, 金属纸电容器用的Cd:Mg和Zn的真空蒸发卷绕镀膜研究成功(Bausch,Mansbridge); 帕洛马100英寸望远镜镜面镀铝(Strong);光学透镜上镀制单层减反射膜(Strong,Smakula); 金属膜生长形态的研究(Andrade,Matindale)。
/ U: m% {) t8 r( B# u* O. J. g1937年, 使用铅反射器的密封光束头研制成功(Wright); 真空卷绕蒸发镀膜研制成功(Whiley); 磁控增强溅射镀膜研制成功(Penning)。
7 T4 C; d8 c. \( @1938年, 离子轰击表面后蒸发取得专利(Berghaus)。1939年, 双层减反射膜镀制成功(Cartwright,Turner)。
1941年, 真空镀铝网制成雷达用的金属箔。
& t6 t1 L% B; c6 Q7 M5 O" G: n1942年, 三层减反射膜的镀制(Geffcken); 同位素分离用的金属离子源研制成功。
9 [& t+ }9 A4 _- p. U1944年, 玻璃的电子清洗研制成功(Rice,Dimmick)。
, I& H2 v9 @, r1945年, 多层光学滤波器研制成功(Banning,Hoffman)。
$ P; _3 O: [' v0 k1946年, 用X射线法吸收法测量薄膜的厚度(Friedman,Birks); 英国Goodfellow公司成立。
$ F# w' _. Y6 e; w) o5 \1947年,200英寸望远镜镜面镀铝成功。
6 o' j/ f: V+ q0 r1948年，美国国家光学实验室（OCLI）建立；沉积粒子的真空快速蒸发（Harris，Siegel）；用光透过率来控制薄膜的厚度（Dufour）。
5 g3 L7 H7 z3 i* ^& z1 Q5 i1949年，非金属膜生长形态的研究（Schulz）。
/ C4 L! p  m+ h1950年，溅射理论开始建立（Wehner）；半导体工业开始起步；各种微电子工业开始起步；冷光镜研制成功（Turner，Hoffman，Schroder）；塑料装饰膜开始出现（holland等）。

& I. |0 ?4 x+ z7 V1913年, 吸附等温线的研究(Langmuir,Knudsen,Knacke等)。
1917年, 玻璃棒上溅射沉积薄膜电阻。
: J* w! S, s2 F- S1920年, 溅射理论的研究(Guntherschulzer)。
1928年, 钨丝的真空蒸发(Ritsehl,Cartwright等)。
/ B/ v0 w& r: @+ ]) s1 L9 J1930年, 真空气相蒸发形成超微粒子(Pfund)。
0 @4 q6 ]( W/ S& Z( U6 _6 y1934年, 半透明玻璃纸上金的卷绕镀(Kurz,Whiley); 薄膜沉积用的玻璃的等离子体清洗(Bauer,Strong)。
! x! Q/ U3 r# C0 w7 v2 p! Z1935年, 金属纸电容器用的Cd:Mg和Zn的真空蒸发卷绕镀膜研究成功(Bausch,Mansbridge); 帕洛马100英寸望远镜镜面镀铝(Strong);光学透镜上镀制单层减反射膜(Strong,Smakula); 金属膜生长形态的研究(Andrade,Matindale)。
) D. c9 T" G$ p. l1937年, 使用铅反射器的密封光束头研制成功(Wright); 真空卷绕蒸发镀膜研制成功(Whiley); 磁控增强溅射镀膜研制成功(Penning)。
1938年, 离子轰击表面后蒸发取得专利(Berghaus)。1939年, 双层减反射膜镀制成功(Cartwright,Turner)。
+ B* v; P0 p0 @% Q/ {+ y8 g1941年, 真空镀铝网制成雷达用的金属箔。
1942年, 三层减反射膜的镀制(Geffcken); 同位素分离用的金属离子源研制成功。
' k, m5 K  w  ^( t1944年, 玻璃的电子清洗研制成功(Rice,Dimmick)。
1945年, 多层光学滤波器研制成功(Banning,Hoffman)。
1946年, 用X射线法吸收法测量薄膜的厚度(Friedman,Birks); 英国Goodfellow公司成立。
1947年,200英寸望远镜镜面镀铝成功。
# ]# n" k. X' }% s6 r1948年，美国国家光学实验室（OCLI）建立；沉积粒子的真空快速蒸发（Harris，Siegel）；用光透过率来控制薄膜的厚度（Dufour）。
2 b, c: o0 C5 r4 p: j1949年，非金属膜生长形态的研究（Schulz）。
- D$ ]/ Z' u. b& |9 j1950年，溅射理论开始建立（Wehner）；半导体工业开始起步；各种微电子工业开始起步；冷光镜研制成功（Turner，Hoffman，Schroder）；塑料装饰膜开始出现（holland等）。