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最近看到朋友对DDR1和DDR2有使用困扰,想来写个帖子,和大家交流下,欢迎大家拍砖。
3 v1 {7 t& h8 R. Z6 d; g5 }( ~其实内存部份,在早前还有SDRAM,目前基本上已淘汰,就不再阐述了
0 { \+ P" L1 o' \5 |下面来简单介绍下DDR1、2、3(先上图) 9 K" e' C+ C: H: r X1 d- K0 `
至于一些其它的相关知识,网上都可以找到,就不另外说明了
, h8 M1 }! \5 \- p, Q
! M5 D- v. D0 J/ Q5 |5 {
, [' I% X/ J, v
# g: X a' y' o+ B4 }
1、内存外观上判断: ( e8 W2 }3 A$ X8 m8 ^+ A
DDR1和2和3,在PIN 金手指数不同 % p9 b. X4 K) N, C& p
DDR1和2和3,在开口位置不同 0 c4 J' h& A, t0 u
' X+ v& _: ?! n" D2、内存供电电压上看:
4 ]$ }& z! p4 P2 M! |/ dDDR1 Vcc 2.5V
3 R# [) S# b6 r0 `DDR2 Vcc 1.8V (1.8~2.5V 随频率不同 电压有相应增加) 4 _" [( B: G, E5 F' b
DDR3 Vcc 1.5V (1.5~2.0V 随频率不同 电压有相应增加)
1 z5 W- K9 ^) v" Q1 X! m. r. r; H" O- ]
3、内存与北桥chipset的搭配: 1 @! {7 f5 s& G! J, G7 J
因为现在只有在少量的很老的主板上有看到DDR1,市面上基本上都是DDR2和DDR3,所以再购买的时候,只要知道在那些北桥开始支持DDR3就可以了
3 n$ P5 u& g8 t主要了解Intel和AMD(ATI)就可以了
) A% } M5 @; y) V, W: b% {; ]6 H
* K" Q# u, {7 b2 I' O$ [4 O( Y0 }' y- J: K' c4 e# a
4、内存与CPU的搭配
, w% \7 C# P/ P5 Y: UIntel:
0 d, S7 R- V& `/ C5 t% sLGA775 E2160 酷睿以上的开始支持DDR3/DDR2 L7 C3 q6 F: S
LGA1156 仅支持DDR3
9 A: ]+ ~3 M" L; ~* t+ Y& LLGA1366 仅支持DDR3 " i/ `# }$ @( L7 x! c
AMD: 8 C% J! {1 @( a( Z9 ?
AM3:同时支持DD2和DDR3 * k; { n. G! a- N7 q6 h8 `
AM2/AM2+:只支持DDR2
$ _- [0 S9 w- c& [( Y/ J, j) S: R% G+ p% z2 {( [
5、内存,从机种名上看 9 P" h/ ~) Q& g# Z6 H
一般从机种名就可以看出使用什么芯片,就可以知道是什么CPU以及什么DDR : W- {1 [3 Z; v/ j6 T# y5 u9 v, w
不同的主板厂商命名规则不一样,以Gigabyte举例:
" U" E' j2 f; X" E hGA-P35C-DS3R / D5 t' K) |" J5 a$ U+ f, e
P35+ICH9R CPU:Intel LGA775 DDR:同时支持DDR2和DDR3 (中间有带C的)
; K2 y. b. }+ {+ CGA-785GMT-USB3
, Q8 ~1 R7 G$ `AMD 785G+SB710 CPU:AM3 DDR:只支持DDR3 (中间有带T的)
/ _ L3 K3 r0 H0 _GA-P55A-UD4 5 [, G4 r6 d1 C2 t9 y( _3 Z$ D$ ?
P55 CPU:LGA 1156 DDR:只支持DDR3
: w, j; F( s. o. l6 r当然还有很多
: W4 w& z H \, k$ K0 p8 ~+ U
2 c: s' K; i8 J- S o i6、DDR的一些主要参数
9 r$ d& }: b1 g- s' G其实内存除了不同的厂商和不同的颗粒以外,影响到其性能的主要参数如下:
3 {+ D, W$ K- o有兴趣的同学可以在网上参阅下:
3 r% Z# f. _3 S; r; t+ s具体到超频高手,在memory上针对下列参数的调节和电压的调节是有很大的讲究的 . X5 C4 _: t3 D0 f* B& O
(tRP) - Minimum Row Precharge Time ' B. o5 B7 c0 @
(tRRD) - Minimum Row Active to Row Active Delay ( V! y! \( f- D a4 d5 \5 s
(tRCD) - Minimum RAS to CAS Delay 3 @. k! b0 q$ e, x1 p! D2 ~* o
(tWR) - Write Recovery Time 5 h) p( Z4 ^0 C" G
(tWTR) - Internal write to read command delay
1 ^/ T! p6 p1 q9 v O; n1 x/ I(tRTP) - Internal read to precharge command delay |
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