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中頻濺射的原理跟一般的直流濺射是相同的,不同的是直流濺射把筒體當陽極,而中頻濺射是成對的,筒體是否參加必須視整體設計而定,與整個系統濺射過程中,陽極陰極的安排有關,參與的比率週期有很多方法,不同的方法可得到不相同的濺射產額,得到不相同的離子密度 中頻濺射主要技術在於電源的設計與應用,目前較成熟的是正弦波與脈衝方波二種方式輸出,各有其優缺點,首先應考慮膜層種類,分析哪種電源輸出方式適合哪種膜層,可以用電源特性來得到想要的膜層效果. O) Q9 y2 R: @# L0 ]
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中頻濺射也使磁控濺射的一種,一般磁控濺射靶的設計,平衡磁場與非平衡磁場,磁場的設計是各家技術的重點,國際幾個有名的濺射靶製造商,對靶磁場的設計相當專業,改變磁場設計能得到不相同的等離子體蒸發量.電子的路徑,等離子體的分佈,所以濺射靶磁場是各家的技術機密. 靶直接冷卻當然效果好跟間接冷卻最大的是蒸發功率,直接冷卻可提高蒸發功率,相對來說可提高離化率( ]* s$ x$ ]% M; Z2 R$ v# ~; R' m
濺射速率,但帶來漏水的問題,靶材選購的問題,尤其濺射時靶材問題,精度要求.鑲纤& f! x$ U4 V0 t6 J
拼接等都無法克服,所以一般都採用間接冷卻的多,
/ F7 G" ]* {/ V* ^$ q! i 濺射也應該歸在PVD沉積的其中一類,也是離子鍍膜的一種(我是這樣的歸類),濺射是在輝光放電區,而電弧離子鍍膜是在弧光放電區,新的中頻濺射技術,就市讓工作點接近弧光放電區,既有輝光放電產生的優點,又有弧光放電的高離化率,8 z, p4 z+ k9 O' X9 w! V* e# J8 A
9 m$ k9 w5 G* _* c6 c: ~# P電弧離子鍍確實有你說的高離化率# ]2 a# [# f+ ?8 C
結合力好的優點,利用高離化出來的離子去實現對工件清洗 K4 j b) y& ?0 i: ]' f
注入
; |" v3 c" h6 I1 j蝕刻,利用偏壓的效果得到好的膜曾與基材的結合,這些優點確實比濺射好很多,尤其工具鍍膜時更明顯,. M, j: t% x- k% o4 \: h% ^6 w
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发表于 2010-4-22 09:38:08