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发表于 2010-2-9 21:10:12
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来自: 中国辽宁大连
判断栅极(G),集电极(C),首先将万用表拨在R×1kΩ档,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G)。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,则调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小时的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
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% G' \1 P# R$ m/ b9 T将万用表拨在R x 10kΩ档,用黑表笔接IGRT的集电极(C),红表笔接IGBT的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT,被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
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" O" j( i7 }- U& o v+ H任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT,好坏时,一定要将万用表拨在R x 10kΩ档,因R x 1kΩ,以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT触发导通,从而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。此法检侧IGBT简单方便、准确可靠。
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# J0 U1 C U3 A. E( W r功率模块的好坏判断主要是对功率模块内的续流两极 管的判断.对于IGBT模块我们还需判断在; v. \- }) L4 |9 d$ x# B
# R5 K- R; i* t* v$ Q n有触发电压的情况下能否导通和关断。
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逆变器IGBT模块检测: . q/ {0 u- ?& f, C- V, r9 z
; x8 v% ^. X2 g6 w0 E+ N; z0 H将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与 e1、 e2之间正反向二极管特性,来判断IGBT模块是否完好。 1 [+ B, y8 \9 @3 ]! y
4 o3 l. q4 G. W% a以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除,使用二极管测试档,红表笔接P(集电极c1),黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为最大;将表笔反过来,黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N(发射极e2),黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为
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400左右;黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同,若出现差别说明IGBT模块性能变差,应予更换。IGBT模块损坏时,只有击穿短路情况出现。 3 M0 \/ K* k+ {* D
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红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性, 万用表两次所测的数值都为最大,这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示,则门极性能变差,此模块应更换。当正反向测试结果为零时,说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏 |
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