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发表于 2010-5-5 11:31:13
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来自: 中国广东佛山
雪崩二极管# z- t9 _. f. e$ |& t0 k# G
0 s8 S _. p+ [+ e0 n PN结有单向导电性,正向电阻小,反向电阻很大。 9 v! }7 r2 T5 j) u+ Q
当反向电压增大到一定数值时,反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。 7 x0 U+ q0 g6 Y4 F
雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时,载流子倍增就像雪崩一样,增加得多而快。 $ S4 R" \% j- S+ \( d5 m/ s
利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管 & g, M# M1 o4 X# j! J, i
雪崩击穿是在电场作用下,载流子能量增大,不断与晶体原子相碰,使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对,这就是倍增效应。1生2,2生4,像雪崩一样增加载流子。 , t: p0 r* \2 U2 S
齐纳击穿完全不同,在高的反向电压下,PN结中存在强电场,它能够直接破坏!共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对,形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大!只有在杂质浓度特别大!!的PN结才做得到。(杂质大电荷密度就大)
8 i4 n! Y: t% T7 B: n 一般的二极管掺杂浓度没这么高,它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中,就是稳压二极管
+ w! ]" ` H( @7 q2 u0 G# v 它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。 |
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