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发表于 2009-10-2 09:17:33
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来自: 中国安徽滁州
光电耦合器是一种把电子信号转换成为光学信号,然后又回复电子信号的半导体器件。当电流移向电耦合器的输入面,光学信号由发光二极管输出 。输出面的光学感应器察觉之,同时电流移动。一般用在开关电源的稳压部分,主要起到隔离冷热地的作用,里面是一支发光管和一支光敏三极管,发光管取样,发光管的亮度影响着光敏管的阻值。
/ {/ J) I6 z2 q( z3 z其指标主要是从绝缘能力和传输能力上考虑的,光电耦合器的电参数可分为发光器参数、受光器参数、耦合参数和总体参数等几类。 |% T+ X' L0 j/ \* y' s' w
发光器参数如下:
" f0 |- ~. f* s {5 z/ ]3 Z7 m(1)发光二极管正向压降Vf
: A: v H# I4 ^; _: a7 g2 A, U3 w% s- i(2)发光二极管正向电流If
! I- Q3 e# h& O7 Z. ~: h0 p7 ~(3)发光二极管反向电压的极限值Vr' W1 H# s+ P! \- A* F+ O
对于光敏二极管、三极管(含达林顿型)受光器而言,其特性参数为:' o+ r. x; R$ h+ |
(1)输出晶体管饱和压降Vce# J9 ~3 `: r8 `8 H
(2)基极开路时集-发间击穿电压Vceo$ Y$ e4 d' \, I9 X; A# ]
(3)电流放大系数hfe7 @5 B! j7 f: E
(4)上升和下降时间tr、tf或开关时间ton、toff$ N. @' H$ i" _, a
对于光敏可控硅型受光器,则有如下参数:$ S2 W& l- ~4 @0 |4 S
(1)断态输出端电压极限值Vdrm。" e- m6 ^; ]# _
(2)电压上升率dv/dt% ~9 L, h& Z2 [3 F2 _- v
(3)不重复峰值浪涌电流Itsm
- M8 ~2 \- L7 x+ ~3 {, H$ \ 对晶体管输出描述其耦合特性的参数有:/ m5 y$ J6 f2 s& R7 | V: e2 t# r
(1)电流传输比CTR,指的是If/Ic的百分比。值得注意的是CTR并非固定不变,它随If和光敏三极管的基极电阻Rb以及外境温度而变化。
) v- b* d' f) S# I(2)发光器受光器之间绝缘电压
( r6 u: h- w8 ?4 x 对于光敏可控硅输出,耦合特性参数有:2 k4 U) ^, f+ n4 [$ Z
(1)LED触发电流Ift; r, v9 S6 R- z/ s2 o; A) Q
(2)可控硅维持电流Ih |
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