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1、在fcc晶体中,hcp沉淀容易在层错上形核是因为:
) E. B( l4 ]$ k- z" S3 u3 E6 D
" O3 ~+ |2 L* h9 xA) 层错形核的|DGd|大;
! v+ V5 M7 E8 D7 R6 I" EB) 层错形核的|DGv|大;
- p- y: F2 X1 _( E7 @
) |5 b& o. z2 r$ l" V2 g4 xC) 层错形核的|DGs|小;
/ M! ^% `0 S K5 k. z& K0 CD) 层错形核的 (界面能)小。( t( P7 m1 q u$ j
4 N4 u5 z! H N G
2、在A,B两组元组成的置换固溶体中,若ra>rb,两组元的热力学因子. f& B, _7 ~1 e- E
FA 和
I( @ ^: |" P( XFB 之间的关系是:( F' z T2 `- V( W1 n( U/ }
! i5 s, N9 N$ q7 _- T
A) FA>FB1 o6 q4 m/ n/ Q; U# R# B$ _# U$ v
B) FA<FB
) [5 N' q/ @ |0 d$ ]$ m5 ~" ]4 Q
8 ^ Z: ]0 S7 `C) FA=FB, I, F: n8 F7 Y6 H; t. Y: d
" ?; ?" P3 @% E
D) 无确定的数量关系
* @, e* E+ j& {$ V# P" Q* q% k
, X/ Z7 H I: b/ `: R; A& r2 k$ ^3、晶界作为高扩散率通道的作用和$ Z2 Y, h# c9 c" Z0 Z
8 u4 Z( O9 N ~8 }A) 温度有关,温度越高晶界作用越明显;3 m; ]% t" F1 \9 ~
B) 温度有关,温度越高晶界作用越不明显;
& d" @: n7 A( i' v N
! p! g6 A2 l* U0 m) D( hC) 溶质浓度有关,浓度越高作用越明显;
2 O _! _5 p. _) n' ^D) 溶质浓度有关,浓度越高作用越不明显。
% b! s, O) Z" t! U- Y
, Y- S$ F" |+ s( J4、小角度扭转晶界和倾转晶界的区别是1 t0 L4 K. [; `/ C' K( X5 h" x
1 |: S# U3 ?4 M! `A) 倾转晶界的转动轴和晶面垂直,扭转晶界转动轴和晶面平行;: P, E; z. R. U+ i/ K
1 L# [/ H, P/ d+ ]& j, }B) 倾转晶界由两组螺位错交叉组成,扭转晶界由一组刃位错组成;
1 Y3 S6 z! }# D/ }/ }% E/ g
, }* W* m" Z+ B) o n! I: \7 ^8 ?8 rC) 倾转晶界由混合位错组成,扭转晶界由一组刃位错组成;
: `! i! K! P: S5 m
2 u; S: |% @) d K' d7 r- W1 n' cD) 倾转晶界由一组平行刃位错组成,扭转晶界由一组交错的螺位错组成。 |
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