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硅中注入硼的扩散
G8 W/ I0 x: k0 g) L1 f. n孔凡志, 文勇军, 廖家欣, 唐贵平7 `3 Q2 N* g" J, b) z1 F$ C* h7 W0 ]7 N* Y0 [
(长沙电力学院物理与信息工程系,湖南长沙 410077)
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中图分类号:TG113. 22 文献标识码:B 文章编号:100627140 (2003) 0220083204/ E! I/ }" {1 I+ p v$ } F L
" E3 \1 l7 l4 `+ d摘 要:硼是半导体材料中最主要的杂质,而精确控制杂质浓度剖面是半导体工艺的关键问题之一. 对硼在硅中的扩散从理论与实验的结合方面进行了系统的讨论.% W% ~; k( F! a5 W" S! R) D# @
+ f3 C0 f% h, E4 ]关键词:扩散;快速热退火;辐射损伤;Fair 理论
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来源：《长沙电力学院学报( 自然科学版)》第18 卷第2 期 2 0 0 3 年5 月 o! M/ g# O/ K; T: A4 f
! `( Q4 Y8 K5 m$ S5 [7 L[ 本帖最后由 清风明月008 于 2007-10-30 21:42 编辑 ] |
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发表于 2007-10-30 20:27:13
