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发表于 2007-10-30 09:05:17
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来自： 中国北京
超硬材料薄膜涂层研究进展及应用
/ R+ j) }" W7 r1 超硬薄膜 + ~/ T/ N, `! K: }8 W+ O" M
超硬薄膜是指维氏硬度在40GPa以上的硬质薄膜。不久以前还只有金刚石膜和立方氮化硼(c-BN)薄膜能够达到这个标准，前者的硬度为50-100GPa(与晶体取向有关)，后者的硬度为50～80GPa。类金刚石膜(DLC)的硬度范围视制备方法和工艺不同可在10GPa～60GPa的宽广范围内变动。因此一些硬度很高的类金刚石膜(如采用真空磁过滤电弧离子镀技术制备的类金刚石膜(也叫Ta：C))也可归人超硬薄膜行列。近年来出现的碳氮膜(CNx)虽然没有像Cohen等预测的晶态β-C3N4那样超过金刚石的硬度，但已有的研究结果表明其硬度可达10GPa～50GPa，因此也归人超硬薄膜一类。上述几种超硬薄膜材料具有一个相同的特征，他们的禁带宽度都很大，都具有优秀的半导体性质，因此也叫做宽禁带半导体薄膜。SiC和GaN薄膜也是优秀的宽禁带半导体材料，但它们的硬度都低于40GPa，因此不属于超硬薄膜。 6 z! F. M l- J
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最近出现的一类超硬薄膜材料与上述宽禁带半导体薄膜完全不同，他们是由纳米厚度的普通的硬质薄膜组成的多层膜材料。尽管每一层薄膜的硬度都没有达到超硬的标准，但由它们组成的纳米复合多层膜却显示了超硬的特性。此外，由纳米晶粒复合的TiN／SiNx薄膜的硬度竟然高达105GPa，创纪录地达到了金刚石的硬度。
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# B' @+ x# X, f& Y" O! {$ J 本文将就上述几种超硬薄膜材料一一进行简略介绍，并对其工业化应用前景进行评述。 2 M8 r+ Q! j m m' q& c
2 金刚石膜
! W3 J# c$ r1 \! Q2．1金刚石膜的性质 2 M2 X0 Q, Q- a0 o+ {, F g( v* ?
金刚石膜从20世纪80年代初开始，一直受到世界各国的广泛重视，并曾于20世纪80年代中叶至90年代末形成了一个全球范围的研究热潮(Diamond fever)。这是因为金刚石除具有无与伦比的高硬度和高弹性模量之外，还具有极其优异的电学(电子学)、光学、热学、声学、电化学性能(见表1)和极佳的化学稳定性。大颗粒天然金刚石单晶(钻石)在自然界中十分稀少，价格极其昂贵。而采用高温高压方法人工合成的工业金刚石大都是粒度较小的粉末状的产品，只能用作磨料和工具(包括金刚石烧结体和聚晶金刚石(PCD)制品)。而采用化学气相沉积(CVD)方法制备的金刚石膜则提供了利用金刚石所有优异物理化学性能的可能性。经过20余年的努力，化学气相沉积金刚石膜已经在几乎所有的物理化学性质方面和最高质量的IIa型天然金刚石晶体(宝石级)相比美(见表1)。化学气相沉积金刚石膜的研究已经进人工业化应用阶段。 ' }& s V4 c6 _
表 1 金刚石膜的性质 * Y1 X( |! p7 K8 S6 ~
Table 1 Properties of chamond film - I! f; m3 m+ n' c4 w8 }
CVD 金刚石膜 天然金刚石
* y% O5 U# P; ]: P* L* W点阵常数 (Å 3.567 3.567 / P% [( Q, h; \ r* @1 a/ [
密度 (g/cm3) 3.51 3.515 : N, p7 c3 }8 a) o
比热 Cp(J/mol,(at 300K)) 6.195 6.195
- ~' S$ o( q" n弹性模量 (GPa) 910-1250 1220* ; [5 X+ L9 x% m
硬度 (GPa) 50-100 57-100* 7 v8 }" t" L6 h/ A! X
纵波声速 (m/s) 18200 % K6 F3 }* Y- j2 H# T- Q! F
摩擦系数 0.05-0.15 0.05-0.15 2 h6 o( ^; q9 A1 t4 M) s7 A
热膨胀系数 (×10 -6 ℃ -1) 2.0 1.1***
! p( f' n! i6 J3 Q8 _ w# \$ ]热导率 (W/cm.k) 21 22* - T) N5 I/ t0 C* A! D
禁带宽度 (eV) 5.45 5.45 / m# k3 Q: [# ?1 Q$ I. q
电阻率 (Ω.cm) 1012-1016 1016
0 L8 @) o8 {+ j' N5 p# }, t饱和电子速度 (×107cms-1) 2.7 2.7*
2 f+ i8 L: F' q9 ~载流子迁移率 (cm2/Vs) ) c' Q4 n# L$ r; j8 ~8 P
电子 1350-1500 2200** 1 N; D0 y S; K1 T3 K, U0 a W
空隙 480 1600* I6 ?5 C9 G, u; F3 D
击穿场强 (×105V/cm) 100 ' o6 O& h1 Z6 V9 u
介电常数 5.6 5.5 6 M& j4 o) i" w& a
光学吸收边 (□ m) 0.22
+ S$ T$ v2 Z4 o% w Q: n0 U- S) t折射率 (10.6 □ m) 2.34-2.42 2.42 * [. F1 N/ Q' k( m; j# |
光学透过范围 从紫外直至远红外 ( 雷达波 ) 从紫外直至远红外 ( 雷达波 ) : W% g* g! @& E( ^+ i5 C
微波介电损耗 (tan □) ＜ 0.0001
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注:*在所有已知物质中占第一,**在所有物质中占第二,***与茵瓦(Invar)合金相当。 6 Q# Z5 i# T' u9 m. @& t+ ]) `
2．2金刚石膜的制备方法
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化学气相沉积金刚石所依据的化学反应基于碳氢化合物(如甲烷)的裂解，如：
; _3 A5 }% E" \. ^0 r) g$ L 热高温、等离子体 ) {- ? j& r2 `* Z
CH4(g)一C(diamond)+2H2(g) (1)
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实际的沉积过程非常复杂，至今尚未完全明了。但金刚石膜沉积至少需要两个必要的条件：(1)含碳气源的活化；(2)在沉积气氛中存在足够数量的原子氢。除甲烷外，还可采用大量其它含碳物质作为沉积金刚石膜的前驱体，如脂肪族和芳香族碳氢化合物，乙醇，酮，以及固态聚合物(如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯)，以及卤素等等。 4 r' b2 l" J/ m4 n9 N7 c
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常用的沉积方法有四种：(1)热丝CVD；(2)微波等离子体CVD；(3)直流电弧等离子体喷射(DC Arc Plasma Jet)；(4)燃烧火焰沉积。在这几种沉积方法中，改进的热丝CVD(EACVD)设备和工艺比较简单，稳定性较好，易于放大，比较适合于金刚石自支撑膜的工业化生产。但由于易受灯丝污染和气体活化温度较低的原因，不适合于极高质量金刚石膜(如光学级金刚石膜)的制备。微波等离子体CVD是一种无电极放电的等离子体增强化学气相沉积工艺，等离子体与沉积腔体没有接触，放电非常稳定，因此特别适合于高质量金刚石薄膜(涂层)的制备。微波等离子体CVD的缺点是沉积速率较低，设备昂贵，制备成本较高。采用高功率微波等离子体CVD系统(目前国外设备最高功率为75千瓦，国内为5千瓦)，也可实现金刚石膜大面积、高质量、高速沉积。但高功率设备价格极其昂贵(超过100万美元)，即使在国外愿意出此天价购买这种设备的人也不多。直流电弧等离子体喷射(DC Arc P1asma Jet)是一种金刚石膜高速沉积方法。由于电弧等离子体能够达到非常高的温度(4000K-6000K)。因此可提供比其它任何沉积方法都要高的原子氢浓度，使其成为一种金刚石膜高质量高速沉积工艺。特殊设计的高功率JET可以实现大面积极高质量(光学级)金刚石自支撑膜的高速沉积。我国在863计划"75”和"95”重大关键技术项目的支持下已经建立具有我国特色和独立知识产权的高功率De Are Plasma Jet金刚石膜沉积系统，并于1997年底在大面积光学级金刚石膜的制备技术方面取得了突破性进展。目前已接近国外先进水平。 . J# V0 c5 Z0 D, @
2．3金刚石膜研究现状和工业化应用 , C7 X- E4 d0 H4 v
20余年来，CVD金刚石膜研究已经取得了非常大的进展。金刚石膜的内在质量已经全面达到最高质量的天然IIa型金刚石单晶的水平(见表1)。在金刚石膜工具应用和热学应用(热沉)方面已经实现了，产业化，一些新型的金刚石膜高技术企业已经在国内外开始出现。光学(主要是军事光学)应用已经接近产业化应用水平。金刚石膜场发射和真空微电子器件、声表面波器件(SAW)、抗辐射电子器件(如SOD器件)、一些基于金刚石膜的探侧器和传感器和金刚石膜的电化学应用等已经接近实用化。由于大面积单晶异质外延一直没有取得实质性进展，n一型掺杂也依然不够理想，金刚石膜的高温半导体器件的研发受到严重障碍。但是，近年来采用大尺寸高温高压合成金刚石单晶衬底的金刚石同质外延技术取得了显著进展，已经达到了研制芯片级尺寸衬底的要求。金刚石高温半导体芯片即将问世。 % ]' s' Y8 F8 O7 b2 Y* t
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鉴于篇幅限制，及本文关于超硬薄膜介绍的宗旨，下面将仅对金刚石膜的工具(摩擦磨损)应用进行简要介绍。 9 O% Q' @1 m5 T; ]& g( ?
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2．4金刚石膜工具和摩擦磨损应用 , l" s7 }. p4 Z( p
金刚石膜所具有的最高硬度、最高热导率、极低摩擦系数、很高的机械强度和良好化学稳定性的异性能组合(见表1)使其成为最理想的工具和工具涂层材料。
8 Z! X i. K4 f! k0 G9 O4 `7 D 金刚石膜工具可分为金刚石厚膜工具和金刚石薄膜涂层工具。 |
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发表于 2007-10-23 15:44:44
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