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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴
/ f! }6 `9 L; q1 _5 E" @: l" O(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)( m2 g4 C4 Q* o$ E- F3 }7 i
摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体
/ V0 @) z1 B) Q) j( s4 L4 f w& {% @硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间
. E6 e8 \' S- w D和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化
6 Z9 g. o) ]& K3 b5 ~# L0 B2 a$ p度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %' ?1 _8 \; \' G. M/ l; W% |7 t
的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.
9 { z( q* l5 q2 ?2 g1 [6 y关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)
5 S2 T; N/ C2 |$ r3 h' NPACC: 7340L ; 7360F ; 8115H( Q$ C& V, u+ x* r
中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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