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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴# `/ Q% X7 i, X$ C) n# ]
(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)
5 ^3 C0 I' C# g0 D) `摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体, f; U2 a% X8 w; Q- f, D9 A
硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间$ z, y! P6 ]+ p8 f9 X3 W' c7 m0 {
和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化
, B7 j2 Z1 I3 z( ~8 X度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %
6 }9 H$ v- Q5 q( |2 N& v的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.
# A8 L. V& _7 w关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)* C# ~+ |0 v# I `7 \7 t
PACC: 7340L ; 7360F ; 8115H: a; v9 r6 s+ W2 Z( b
中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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