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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴$ X- n/ S: q! d7 M
(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)) v7 E- C* I; m& {0 @
摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体
A$ | E! M N3 F% r0 p硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间$ |; @5 b; ~% F l6 P9 S
和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化- p3 m0 G7 S% }' i
度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %& C- v [$ Z7 M" d- P/ I
的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.
- J6 B7 v/ W0 |关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)7 z( O2 O. I# ~: H
PACC: 7340L ; 7360F ; 8115H
g1 `6 p, s8 ~2 W# ^中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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