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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴6 L; E/ _: ?' X+ q4 u% ~4 Q
(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)
1 z0 o0 ?+ ?8 H7 Q摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体8 a- Z9 P% P3 [4 l& j& b1 k
硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间
: h S+ D; I- F9 o' P' ?8 _和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化
0 Q# F3 Q& f- d3 Q! O- L5 r度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %
9 I9 q D( F7 O5 U; B5 ~1 e- {的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.3 ` `" i: @+ v$ t- g$ \4 G
关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)/ N/ U- k/ E5 f
PACC: 7340L ; 7360F ; 8115H
% _1 w5 }! ]- G. ]; w9 m# }2 m中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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