什么是雪崩二极管？谢谢！

liuweida

什么是雪崩二极管？谢谢！

cylzwx

PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。
当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。
雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。
& _0 {( E$ s# m; P% `利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管
7 y! B( n7 Y: p( S( a+ J- s5 G雪崩二极管和齐纳二极管实际就是通常说的稳压二极管
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[ 本帖最后由 cylzwx 于 2007-6-28 17:01 编辑 ]

zhoujd

也叫齐纳二极管。在通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直保持一个常数，直到反向电压超过某个特定的值，超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通。这个突然的意义重大的反向导通就是反向击穿，如果没有一些外在的措施来限制电流的话，它可能导致器件的损坏。反向击穿通常设置了固态器件的最大工作电压。

cylzwx

PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。
! V. M; x4 x) f, G当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。
5 T4 p2 ^9 V3 S0 k  ~5 H8 Y雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。
利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管
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6 `$ {: a+ \( z' T! U雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。

0 u# O" v* B0 V# S. l/ p. R齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的PN结才做得到。（杂质大电荷密度就大）
* B/ a4 t6 g8 E: \6 R% }, d' h一般的二极管掺杂浓度没这么高，它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管

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雪崩二极管的特性
雪崩二极管是根据二极管雪崩击穿的特性制成的负阻半导体器件，是一种在外加电压作用下可以产生超高频振荡的半导体二极管，也称碰撞雪崩渡越时间二极管。它工作于反向击穿状态，对外呈现负阻特性。
9 i6 T$ D( T  H3 e雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应形成负阻而产生高频振荡：即利用半导体P-N结的雪崩击穿在半导体中注入载流子，这些载流子渡越过晶片流向外电路。因为载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，则在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。
, }. z- v7 |5 W( E( P8 l用于制造雪崩二极管的半导体材料主要是硅和砷化镓等。
雪崩二极管的应用
雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波振荡源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，广泛应用于雷达、通信、遥控、遥测系统和仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。