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[讨论] 最新内置电源SD6602D/SD6604D士兰微方案

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发表于 2016-5-24 20:03:11 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自: 中国广东中山

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低成本  DIP封装  散热好  
D6604D   18-24瓦   输出280MA 电流方案  单电压  Q Q 28927154278 U6 }  o+ b0 r$ S
  SD660X 系列 IC 是一款高精度、低成本的原边反馈 LED 恒流驱动芯片,此芯片采用特有的恒流控制技术,不需要 光隔离器、次级反馈控制、环路补偿及变压器辅助绕组等,降低系统成本和体积,具有非常高的稳定性和平均效率。
    此芯片工作于断续模式,通过峰值电流采样电阻设定输出电流。  
) M) E3 C! D7 J2 D
SD660X 为内置650V 高压 MOS 管,适用于输出 功率 15W 以下,其中SD6601S,输出功率为 1-5W,SOP-7 封装

  Z6 p1 z# p+ g- V
PCB 布线     
1).尽量减小功率环路的面积,减少 EMI 辐射;  
  2).尽量加大 IC 的DRAIN  引脚覆铜面积,用于增加芯片散热面积;但DRAIN 太大也会影响 EMI 辐射,请做的适当 考虑;  
  3).尽量将VCC 的旁路电容靠近芯片引脚;  
  4).尽量减小采样电阻的地线与功率地的长度;
! L: d. v& w- N5 q
% w# S, q, `, t: S, k0 e# a. b/ C; A# k
    典型的选择如输入电容范围为90Vac-264Vac,输入电容大小为2~3uF/W。

$ ~: {0 H8 j1 ^
整机效率偏低的问题  
# d3 \6 F5 S$ A4 X0 p9 F
   1).变压器设计不合理,比如线径太细、匝数太多、漏感偏大等等因素;
" t1 d5 D) ~8 X, B" T  @
   2).整机系统工作频率太高,导致开关损耗增加;
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   3).启动电阻太小,造成高压输入时,损耗加大;

! \' `5 a( T$ O0 K4 H5 ?  y6 H) a
   4).输出整流二极管的选择不当,也会造成效率偏低;

) {4 b2 g8 F# t) Y! U: G+ {
7 N0 g- c2 l7 l) m
   5).输出滤波电容选择不当,会造成输出损耗偏大,而引起效率偏低

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2 r# d8 F, _$ r: M  M
- u$ K% E3 _. l3 d! J
 楼主| 发表于 2016-5-24 20:08:46 | 显示全部楼层 来自: 中国广东中山
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, P# U7 C- h: w& I2 L低成本  DIP封装  散热好  
8 @% ^5 e9 X: O0 V3 g, FD6604D   18-24瓦   输出280MA 电流方案  单电压  

SD660X应用说明书_0.1.pdf

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