摘要一维硅纳米材料具有不同于体硅材料的特殊光电性能,在光电子领域具有潜在的应用价值。通过“剪裁”一维硅纳米材料的尺寸、形貌和化学纽分等,可以调控其物理化学性质。因此,探索并实现一维硅纳米材料的可控制备对于其实际应用至关重要。本文综述了一维硅纳米材料可控制备的最新进展,介绍了几种重要的制备方法及其生长机理,比较了不同方法在可控制备一维硅纳米材料中的优缺点,并展望了其2 Y$ E0 F J3 b9 Y" y
未来发展方向。" J' [, k# Y' j3 k; U d9 M. J! j
关键词一维硅纳米材料可控制备生长机理 * Y! a' D* Y. o1 f+ B) r中图分类号:0613.72;0611.4 文献标识码:A 文章编号:1005.281x(2008)07,8一1064