薄膜电阻器提供不渗透硫的解决方案

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' v3 e: a+ u$ \/ M　　借助最新的材料和工艺提高，这种显明的成本差异可被明显下降，这很可能会对片状电阻器市场发生重大影响。目前，一种公道的预期是，容差1%、电阻温度系数（TCR）为±100×10-6/℃的商品薄膜片状电阻器的价位将与等同精度的厚膜电阻器的价位大抵相同。
只有内部端接不包括银或铜质资料的片状电阻器，或者那些内部端接由硫无奈浸透的旁边层加以维护的片状电阻器，才干够完整不受硫传染的影响。市场上存在存在竞争力的基于厚膜的解决计划，它们有必定防硫后果，但仍不能完全防止硫污染――时光一长，它们终极也会生效，变成开路。
: E5 g$ H( a% ?7 x' d1 \　　在硫含量较高的环境，例如汽车设备、产业设备和重型农用和建造装备中，因为硫化银的构成，常见的厚膜片状电阻器会呈现阻值偏移问题。硫渗过电镀层和屏蔽层，与银接触造成硫化银.
  G' ^: b8 L4 i: w/ M8 s　　当前的小型化趋势将电阻器技巧推到了极限。例如，0201尺寸的片状电阻器仅封装就大概占到了元件总本钱的60%。对某些在电路板上统一相邻地位应用雷同电阻值的设计来说，片状元件阵列能够辅助缓解布局跟封装问题。不外，这并不实用于所有厂商。
厚膜电阻器的内部端接通常都不同水平地采取了镀银/钯工艺。这些绝对便宜的端接材料拥有更高的银含量，但通常恰是内部端接中的银轻易受到硫的污染。
                  
6 B6 L# I2 k5 H 只管有可能找到银含量更低的厚膜材料，但至今为止，这些备选材料都须要更高的成本，因而批量出产仿佛不太可能。另一方面，薄膜片状电阻器使用溅射的、以镍铬铁合金为重要材质的内部端接，不含银且通常也不包含任何其余贵金属。这象征着镍铬铁合金薄膜材料的价位比那些金、钯或铂含量更高的厚膜材料更为稳固。
/ y6 \/ k/ Q4 Q0 b7 G/ p　　硫化银是不导电的，而连续裸露在硫环境中将意味着更多硫化银的形成，直到所有的银都完全转化成硫化银。导电层将因此被中止，而该元件将变成开路。对任何汽车或工业设备制造商而言，这是一种特殊令人懊丧的景象，由于它是一种在制造时完全无法检测的潜在故障。有些汽车和工业设备制作商已经通过密封电子设备，胜利地禁止了硫化银的形成，但要将该方式利用于所有情形并不可行，而且这并不是一种能确保避免硫污染的牢靠办法。
+ w/ }2 }+ k( W' n2 R　　厚膜和薄膜技术的最近发展可以在给定的芯片尺寸上实现更高的额外功率。家喻户晓，与厚膜电阻元件比拟，薄膜电阻元件具备众多机能上风，而厚膜电阻器独一的显著优势就是成本。