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20世纪的前50年
/ S% m& d; w8 B& _6 L- I1904年, 圆筒上溅射镀银获得专利(Edison)。 6 I0 j- S$ j6 x+ S0 M2 w
1907年, 开始研究真空反应蒸发技术(Soddy)。 1913年, 吸附等温线的研究(Langmuir,Knudsen,Knacke等)。
' y4 N$ l$ K" ~" e; @ M1917年, 玻璃棒上溅射沉积薄膜电阻。8 {1 G! o+ Q/ T' v
1920年, 溅射理论的研究(Guntherschulzer)。# G( v; C3 z2 H7 T7 l0 b
1928年, 钨丝的真空蒸发(Ritsehl,Cartwright等)。
7 j* p% P8 n8 i# \& p1930年, 真空气相蒸发形成超微粒子(Pfund)。
5 w5 d6 P. R" B/ Y0 ~" `1934年, 半透明玻璃纸上金的卷绕镀(Kurz,Whiley); 薄膜沉积用的玻璃的等离子体清洗(Bauer,Strong)。8 A/ P/ x5 P8 i5 x4 J! L, |
1935年, 金属纸电容器用的Cd:Mg和Zn的真空蒸发卷绕镀膜研究成功(Bausch,Mansbridge); 帕洛马100英寸望远镜镜面镀铝(Strong);光学透镜上镀制单层减反射膜(Strong,Smakula); 金属膜生长形态的研究(Andrade,Matindale)。# d, g! p u) _5 _' I r) n/ u
1937年, 使用铅反射器的密封光束头研制成功(Wright); 真空卷绕蒸发镀膜研制成功(Whiley); 磁控增强溅射镀膜研制成功(Penning)。
+ N7 g F, s1 ?8 V1938年, 离子轰击表面后蒸发取得专利(Berghaus)。1939年, 双层减反射膜镀制成功(Cartwright,Turner)。
+ i! ?* N6 f8 X1941年, 真空镀铝网制成雷达用的金属箔。
9 v5 i9 p9 v+ Q1942年, 三层减反射膜的镀制(Geffcken); 同位素分离用的金属离子源研制成功。6 W* {0 S$ N9 ?- h" c t
1944年, 玻璃的电子清洗研制成功(Rice,Dimmick)。9 K o/ P' F) e' j$ i
1945年, 多层光学滤波器研制成功(Banning,Hoffman)。! x) g& r! ^+ p# c! W" y
1946年, 用X射线法吸收法测量薄膜的厚度(Friedman,Birks); 英国Goodfellow公司成立。
: ]5 o" B/ B- \1947年,200英寸望远镜镜面镀铝成功。- l% p2 B+ m h" m7 l
1948年，美国国家光学实验室（OCLI）建立；沉积粒子的真空快速蒸发（Harris，Siegel）；用光透过率来控制薄膜的厚度（Dufour）。! d* Q3 `0 c) L! k7 K; W
1949年，非金属膜生长形态的研究（Schulz）。 ) `1 g8 T: \6 L6 i; D2 ]. v
1950年，溅射理论开始建立（Wehner）；半导体工业开始起步；各种微电子工业开始起步；冷光镜研制成功（Turner，Hoffman，Schroder）；塑料装饰膜开始出现（holland等）。# ^$ w% n, J$ Z5 _, @/ {
$ B+ |- N7 k; o5 o1913年, 吸附等温线的研究(Langmuir,Knudsen,Knacke等)。
& M% I9 P2 ^9 Q/ @5 N: P% \- g1917年, 玻璃棒上溅射沉积薄膜电阻。3 F7 C5 }' u) c8 l7 U
1920年, 溅射理论的研究(Guntherschulzer)。
/ I. B2 d3 b4 a# P1928年, 钨丝的真空蒸发(Ritsehl,Cartwright等)。& r9 v0 B2 Z. }% G0 P- j
1930年, 真空气相蒸发形成超微粒子(Pfund)。: H, R: ~" P8 _ J
1934年, 半透明玻璃纸上金的卷绕镀(Kurz,Whiley); 薄膜沉积用的玻璃的等离子体清洗(Bauer,Strong)。1 J7 j' r$ y. [3 D: u
1935年, 金属纸电容器用的Cd:Mg和Zn的真空蒸发卷绕镀膜研究成功(Bausch,Mansbridge); 帕洛马100英寸望远镜镜面镀铝(Strong);光学透镜上镀制单层减反射膜(Strong,Smakula); 金属膜生长形态的研究(Andrade,Matindale)。# r2 R; Z: J# @' T5 X
1937年, 使用铅反射器的密封光束头研制成功(Wright); 真空卷绕蒸发镀膜研制成功(Whiley); 磁控增强溅射镀膜研制成功(Penning)。6 y8 Y/ K$ Y5 ^- C6 u3 _
1938年, 离子轰击表面后蒸发取得专利(Berghaus)。1939年, 双层减反射膜镀制成功(Cartwright,Turner)。 . i, @& c. A: z0 @0 X8 }
1941年, 真空镀铝网制成雷达用的金属箔。
- I1 k! p9 D( S/ ~1942年, 三层减反射膜的镀制(Geffcken); 同位素分离用的金属离子源研制成功。$ Q2 ]* j! e' Y C w
1944年, 玻璃的电子清洗研制成功(Rice,Dimmick)。 ]/ s( _6 V9 I0 I, n2 ~
1945年, 多层光学滤波器研制成功(Banning,Hoffman)。5 x3 I* ~* H& X( z: d# B, w' ? q
1946年, 用X射线法吸收法测量薄膜的厚度(Friedman,Birks); 英国Goodfellow公司成立。# k. O0 J* h/ g1 Y' }' S* x3 f
1947年,200英寸望远镜镜面镀铝成功。
' h" g! X& p* t& `8 |% G$ o1948年，美国国家光学实验室（OCLI）建立；沉积粒子的真空快速蒸发（Harris，Siegel）；用光透过率来控制薄膜的厚度（Dufour）。
, z) J$ h8 ^7 H j" X- C! v* `1949年，非金属膜生长形态的研究（Schulz）。 7 P5 O8 c" V1 S
1950年，溅射理论开始建立（Wehner）；半导体工业开始起步；各种微电子工业开始起步；冷光镜研制成功（Turner，Hoffman，Schroder）；塑料装饰膜开始出现（holland等）。 |
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发表于 2010-12-6 17:58:55