中頻濺射的原理

zpur1983 · 发表于 2010-4-22 09:38:08

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中頻濺射的原理跟一般的直流濺射是相同的,不同的是直流濺射把筒體當陽極,而中頻濺射是成對的,筒體是否參加必須視整體設計而定,與整個系統濺射過程中,陽極陰極的安排有關,參與的比率週期有很多方法,不同的方法可得到不相同的濺射產額,得到不相同的離子密度

中頻濺射主要技術在於電源的設計與應用,目前較成熟的是正弦波與脈衝方波二種方式輸出,各有其優缺點,首先應考慮膜層種類,分析哪種電源輸出方式適合哪種膜層,可以用電源特性來得到想要的膜層效果.

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1 g7 } z, O4 {) I* K3 b# O中頻濺射也使磁控濺射的一種,一般磁控濺射靶的設計,平衡磁場與非平衡磁場,磁場的設計是各家技術的重點,國際幾個有名的濺射靶製造商,對靶磁場的設計相當專業,改變磁場設計能得到不相同的等離子體蒸發量.電子的路徑,等離子體的分佈,所以濺射靶磁場是各家的技術機密.

靶直接冷卻當然效果好跟間接冷卻最大的是蒸發功率,直接冷卻可提高蒸發功率,相對來說可提高離化率9 Z1 z! O& Q! p+ Y  H
濺射速率,但帶來漏水的問題,靶材選購的問題,尤其濺射時靶材問題,精度要求.鑲纤/ k( A, k5 P! W6 P
拼接等都無法克服,所以一般都採用間接冷卻的多,( C5 Q& {3 v+ _6 R! z  I2 X! `
  濺射也應該歸在PVD沉積的其中一類,也是離子鍍膜的一種(我是這樣的歸類),濺射是在輝光放電區,而電弧離子鍍膜是在弧光放電區,新的中頻濺射技術,就市讓工作點接近弧光放電區,既有輝光放電產生的優點,又有弧光放電的高離化率,0 p# L& n9 }# r/ ~4 E

" z2 W2 q& Q% v. k$ G% E電弧離子鍍確實有你說的高離化率
- F" Z- E+ ~, g2 D5 V* }結合力好的優點,利用高離化出來的離子去實現對工件清洗. j7 x7 u3 x. b
注入+ K& g' P* J, \: }7 o
蝕刻,利用偏壓的效果得到好的膜曾與基材的結合,這些優點確實比濺射好很多,尤其工具鍍膜時更明顯,$ j. \0 b/ l! ^: ]- ~

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