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纳米技术适用系统的实例：SR光刻及其边缘技术
大规模集成电路(LSD 集成化程度逐年加大，最近集成超过l 00万个的电路器件的超大规模集成电路屡见不鲜。特别是在规则电路重复的存储器方面，集成化的发晨很显著，最小线宽徽细化达到亚微米(0．81．tm)。为了继续发展微细化必须进行广泛的技术革新，尤其是光亥4领域的革新是不可缺步的，现在光刻采用缩小投影毒光装置，把波长为
436am 的紫外线照射到玻璃基板的图形上，并将此像缩小投影到涂敷光致抗蚀荆的硅基板上，以形成电路图形。由于用这种方法投影的最小线宽与毒光波长成正比，与投影透镜的数值孔径(NA)成反比，所以为了提高分辨率而进行光源的短波长化和投影透镜数值孔径变大的研究t但是未能得到低于0．25 m的分辨率．因此．利用舍高辉度x射线的同步加速器辐射光(SR)的SR光刻引起了人们的重视．