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适应纳米技术时代的精密定位的执行元件
近年来，各种定位机构的要求精度正从亚微米向纳米级即O．O01pm迈进．譬如：半导体基片进入4兆动态存储器时代，正朝着研制100兆动态存储器的方向发展．这种lO0兆动态存储器的基片所形成的沟槽宽度(或者线宽)为0．1 m级，如图1所示。若超大规模集成电路的最小加工宽度为亚微米级，则其制造装置或者检查装置的定位机构的精度要求比亚微米值小l～2十数量级，也就是说需要0．01～0．O01~m 的精度，超大规模集成电路的线宽进入亚微米时代，其制造装置和检查装置的定位精度正进入0．O01~m的纳米时代。