半导体材料掺杂可以大大降低材料的电阻率。在一定范围内，掺杂浓度越高，电阻率也就越低。 ( e. S6 c g3 S$ n, P1 l: E% q; L ?* X. i( D2 A' N' ]6 D
在使用不同的掺杂工艺，使其硅或锗单晶基片上一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，在两种半导体交界面附近形成PN结后，这时的主要矛盾就由电阻率的变化转化为PN结处形成的空间电荷区的反向电场强度。在一定范围内，掺杂浓度低，空间电荷区的反向电场强度也就较小，所以在施加正向电压时，相对电流就会较大。但这也有一定的限度，当掺杂浓度为零（实际上应为接近零时的某一值）时，这时的半导体材料不能形成PN结，就是一个通常意义上的半导体了。这也就是人们常说的从量变到质变的过程吧。8 y" m t* @. l
. _ F+ x* P8 B y2 Z: Y ^当然，掺杂浓度的变化还会影响到PN结的其它各项参数指标和性能。0 u4 Z" k. A% q% r: E2 N
发表于 2009-5-22 12:19:33
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