图中所示是一种用于三相三线制电源缺相保护电路，A、B、C缺任何一相，光耦器输出电平低于比较器的反相输入端的基准电压，比较器输出低电平，封锁PWM驱动信号，关闭电源。比较器输入极性稍加变动，亦可用高电平封锁PWM信号。这种缺相保护电路采用光耦隔离强电，安全可靠，RP1、RP2用于调节缺相保护动作阈值。% _# V" e% D. E$ x
+ n' r5 J) B% i g 这个电路几乎成为缺相保护的经典电路了，模拟仿真都没什么问题。但有一处问题我想不明白请各位高手解答。 / b3 Q) z) Q. b0 V U$ H/ O . N( x6 f3 q& R 图中电路的上半部分（我用红色圈的部分）我的理解是：B、C两相电压分别通过0.01uF和0.1uF的电容连接在一起，形成一个中点。A相电压与中点电压比较，如果A相有缺相则会截至光耦，使比较器输出低电平，拉低PWM输出。问题是，如果B、C相是连接成中点的话，为什么选择的电容容值差十倍呢？我用multisim仿真过，如果改成相同容值还真是不行。望高手解惑。在此拜谢了！ :handshake :handshake 1 ^+ i x3 Z1 W- N3 {
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[ 本帖最后由 dingwei__stone 于 2009-4-29 10:01 编辑 ]
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发表于 2009-4-29 09:56:21
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