|
|
马上注册,结识高手,享用更多资源,轻松玩转三维网社区。
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
图中所示是一种用于三相三线制电源缺相保护电路,A、B、C缺任何一相,光耦器输出电平低于比较器的反相输入端的基准电压,比较器输出低电平,封锁PWM驱动信号,关闭电源。比较器输入极性稍加变动,亦可用高电平封锁PWM信号。这种缺相保护电路采用光耦隔离强电,安全可靠,RP1、RP2用于调节缺相保护动作阈值。
. `+ {3 e3 _( G, W% Y & W+ D: p4 o* L2 J3 R8 T$ ?
这个电路几乎成为缺相保护的经典电路了,模拟仿真都没什么问题。但有一处问题我想不明白请各位高手解答。" ], `3 u3 N" u( s C. N+ [
/ }7 W Z2 `) ]
图中电路的上半部分(我用红色圈的部分)我的理解是:B、C两相电压分别通过0.01uF和0.1uF的电容连接在一起,形成一个中点。A相电压与中点电压比较,如果A相有缺相则会截至光耦,使比较器输出低电平,拉低PWM输出。问题是,如果B、C相是连接成中点的话,为什么选择的电容容值差十倍呢?我用multisim仿真过,如果改成相同容值还真是不行。望高手解惑。在此拜谢了! :handshake :handshake
, J5 f& E8 v; Y, L) D5 j8 v- B$ s3 H
8 Y' {. r. \ S[ 本帖最后由 dingwei__stone 于 2009-4-29 10:01 编辑 ] |
|