硅材料国家重点实验室（浙江大学）

西风破

硅材料国家重点实验室(原名高纯硅及硅烷国家重点实验室)于 1985年由国家计委批准投资建设，1987年通过国家验收，1988年对外开放。目前硅材料国家重点实验室已成为国家在硅材料及半导体材料的科学研究与创新、高级人才培养的主要基地之一，是对外学术交流的重要窗口。
/ v! |' f4 A5 U4 c+ @8 Z; V1986年，实验室建立了国内第一个半导体材料工学博士点，并被评为全国重点学科。目前以实验室为核心的浙江大学材料物理与化学学科再次被评为全国重点学科。
实验室主要研究方向：（l）大直径硅单晶生长及硅中微杂质、微缺陷基础研究；（2）半导体薄膜生长、物性评价及器件应用研究；（3）复合半导体光功能材料研究；（4）复合信息功能材料的基础研究（5）半导体材料性质、分析测试方法及其基础理论研究。
. R9 M! A& P* C% X$ C实验室现有人员36人，其中中国科学院院士1人，教授、研究员20人(具博士学位11人)，副教授、副研8人(具博士学位7人)，高工4人。重点实验室学术委员会主任是阙端麟院士，叶志镇教授任实验室主任，杨德仁教授任副主任。
: c( k: Y6 E3 I& ^# V本实验室从50年代初就开始半导体材料研究，自实验室建成至今已取得了一系列重要成果。在硅烷提纯、硅单晶生长技术及硅单晶的电学测量等方面取得过重大成果，获得国家发明二等奖 l项，三等奖2项，发明专利7项，省部级科技进步奖十余项。实验室首创了减压氮保护硅单晶技术，该发明在转化为生产力后，己取得显著经济效益，获浙江省重大科技进步贡献奖。目前硅单晶销往美、德等国。大直径硅单晶生长、硅的缺陷工程的基础研究一直是实验室的主要研究方向。目前在该领域于国际学术刊物和会议上发表一系列高水平的论文，在国际硅材料学术界占有独特的地位。同时现在还开展了铸造多晶硅太阳能电池应用基础研究。
+ O" ?, _1 ?7 f! M* U实验室研究领域不断拓宽，半导体薄膜生长与应用是实验室新的重点研究发展方向之一。1992年实验室创建了国内第一台超高真空 CVD外延设备，率先开辟了利用超高真空CVD低温外延技术的应用研究，在优质薄硅外延片和新颖锗硅合金材料生长方面取得了创新成果。同时在宽禁带GaN、ZnO单晶薄膜及硅基LiNb3异质结构生长、ZnO的 P型掺杂关键技术解决及ZnO紫外探测器的制备等方面已取得了突破性进展。
复合半导体光功能材料的研究是实验室另一个研究重点发展方面。目前在有机半导体材料、有机光导鼓和有机／无机复合激光材料与器件方面的研究取得了重大进展。同时，实验室进一步向纳米材料研究领域拓宽。
! X. @3 g0 R/ m, b3 Z6 K5 e近几年来，实验室共承担了科研项目60余项，其中国家自然科学重大基金项目 1项，重点项目 l项，面上基金20余项；国家重点基础研究发展规划项目“973”子项目1项，省部级基金课题40多项，国家和省火炬计划项目、国际协作多项。实验室近年来申报专利和鉴定成果多项，发表论文500多篇。
# v9 I4 y. I1 _7 |% E实验室坚持以人为本，积极培养优秀人才，目前在实验室培养的优秀青年人才中有长江学者奖励计划特聘教授1人，跨世纪人才4人，杰出青年1人，国家“百千万人才工程”百人计划入围者一人，同时实验室还为留学归国的优秀人才提供了相当的工作和生活条件。
+ x4 G2 C% V+ T7 ]. f# R8 r: x实验室注重科研基础平台建设，目前已拥有先进的大型设备有： CG6000大直径硅单晶生长炉，新颖超高真空 CVD外延设备，MOCVD，液相外延炉，磁控溅射和热蒸发薄膜生长设备等；大型分析仪器有 ESCALAB表面分析谱仪，X光双晶衍射仪，CF35扫描电镜，SSM—350扩展电阻仪，红外光谱仪，CM200型超高分辨透射电子显微镜和 HL5500半导体材料霍尔参数测试仪等。
在现有优势研究方向的基础上，硅材料国家重点实验室将重点投向新世纪高科技领域的先进的半导体复合功能材料。建立一个半导体和纳米复合材料研究基地，积聚一批优秀学科骨干，创造一批具有原创性和自主性的成果，并通过转化产生一系列具有重要经济和社会价值的效益。将本实验室建设成为一个以半导体和纳米复合材料为突破口，集高层次人才培养、应用基础研究和开发研究为一体，名至实归的国家重点实验室。

wangref

介绍的不错，学习了。之前只知道浙大很厉害

jove20020

曾经考博士的时候想过要去浙江大学硅材料国家重点实验室，做的还是挺好的，现在已经在上海求学了，有了合作课题的时候还是想去浙江大学该实验室看看。