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硅中注入硼的扩散. \6 s5 O, p) Q; Y9 j( O
孔凡志, 文勇军, 廖家欣, 唐贵平* |! y ]1 m7 H c( s' S
(长沙电力学院物理与信息工程系,湖南长沙 410077); P. P5 h) x! I/ l
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中图分类号:TG113. 22 文献标识码:B 文章编号:100627140 (2003) 0220083204& Y3 i+ ^' |( v
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摘 要:硼是半导体材料中最主要的杂质,而精确控制杂质浓度剖面是半导体工艺的关键问题之一. 对硼在硅中的扩散从理论与实验的结合方面进行了系统的讨论.# r/ k' T; s G' e/ n: [/ F/ G
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关键词:扩散;快速热退火;辐射损伤;Fair 理论: L0 ^0 }3 X: ?- `
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0 l# V3 c: _0 V7 O2 o来源：《长沙电力学院学报( 自然科学版)》第18 卷第2 期 2 0 0 3 年5 月. r& O" ~( ]5 J% H) L8 U) P
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[ 本帖最后由 清风明月008 于 2007-10-30 21:42 编辑 ] |
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发表于 2007-10-30 20:27:13
