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硅中注入硼的扩散
( l7 W, c) w! L* F孔凡志, 文勇军, 廖家欣, 唐贵平/ {) S- C1 u' o. G9 t" w) k
(长沙电力学院物理与信息工程系,湖南长沙 410077)
9 E& T2 I8 \0 c, m0 T/ ~7 R' W& N7 a
中图分类号:TG113. 22 文献标识码:B 文章编号:100627140 (2003) 02200832041 Q) \9 F; o" J, x" K. O
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摘 要:硼是半导体材料中最主要的杂质,而精确控制杂质浓度剖面是半导体工艺的关键问题之一. 对硼在硅中的扩散从理论与实验的结合方面进行了系统的讨论.
U( e6 S- \/ P/ _+ U: x$ x: q 8 w/ q9 j: [4 M) r) E: G
关键词:扩散;快速热退火;辐射损伤;Fair 理论
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' {9 E7 c4 g; ?4 z来源：《长沙电力学院学报( 自然科学版)》第18 卷第2 期 2 0 0 3 年5 月3 e& U3 W6 f4 J s
0 y2 E7 I9 `4 h+ z[ 本帖最后由 清风明月008 于 2007-10-30 21:42 编辑 ] |
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发表于 2007-10-30 20:27:13
