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《晶体硅太阳电池铝背场的研究》8 M. W- F5 a1 ^, O+ l- y; [
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! n7 D7 i6 a) d; n) ~( [' B) t1 j2 _彭银生 刘祖明 陈庭金
& s$ I# b& ?; |5 o8 f% B（云南师范大学太阳能研究所）
# J% A2 R+ F& J8 @ [0 R, W6 v( ` g: t+ m* p
摘 要:! n3 M* R$ S9 z) r
* N0 z) h' v# Q# X4 \5 ]: ~2 V文章比较了两种不同铝浆在相同的烧结条件下，得出两种不同铝浆的烧结情况，通过电镜扫描分析了两种铝浆所含杂质元素及铝浆剖面情况，得出烧结平整性较好，颗粒较小与硅片接触较好以及不含其它杂质复合中心的铝背场，其电池的开路电压和长波光谱响应要好。该部分研究对工业化生产具有较大的参考价值。
/ x) b: D& h$ O关键词:1 u. o G, d) M5 M4 t& u& R6 Y( L
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 铝背场 光谱响应 开路电压: ?' x" r u) U% D+ p& g
+ B3 Z* ~' x6 X, G+ Y[ 本帖最后由 新洁电子 于 2007-10-31 08:57 编辑 ] |
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发表于 2007-10-30 20:25:56
