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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴
0 Y0 F+ Q+ f4 c(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)
+ r; x, S7 h; a$ _( T摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体5 {1 f+ p! p1 w. {) E9 g1 w3 m
硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间5 ]3 u' B5 L$ `
和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化9 `/ D6 ]" L. ?" b( T
度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %+ a" o% m2 u. e V
的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.
% T; \. B2 e' O( M5 S& o关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)0 {4 B' T2 p: y% P; A7 Y5 x
PACC: 7340L ; 7360F ; 8115H
3 j% L# |, p- U5 g中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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