|
|
发表于 2007-9-6 23:01:28
|
显示全部楼层
来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴, A4 U% @, F2 T
(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)1 b3 [# H% C/ Y1 Y
摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体
' p9 z7 l0 Q# `: k硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间
2 R3 }! T" M1 w) O0 j& L和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化( n5 _, P. w; u. H# T% z
度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %
6 V! k: y- j/ \的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.6 C0 Q8 Q/ i& C, k
关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)
3 ]1 d2 H7 h/ g. @7 PPACC: 7340L ; 7360F ; 8115H+ A3 k5 o5 m3 O$ p M9 M3 R
中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
评分
-
查看全部评分
|
