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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴
* w& k! C+ c5 k5 V5 m(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)
3 j5 q0 j1 y+ c. P$ [摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体6 s+ l* g! |2 {- \' f
硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间0 |/ p/ i- i8 L' b7 ]
和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化) z+ z; G; b. c& h7 Z
度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %
3 _1 C c- a( w: ]' q+ d6 D的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.5 P2 {# Q1 w! Q5 m) F) B' B$ m
关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)# U- J. E( i* f+ E$ }! W
PACC: 7340L ; 7360F ; 8115H
9 t3 _: q- h# r+ `中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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