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发表于 2007-7-5 15:11:12
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来自: 中国安徽淮南
内存技术术语4
6 t( H/ ^+ r! ~# ^6 ^3 c" bMicro BGA
: j# V9 J( s5 E+ U1 Z, o Micro BGA (μBGA)-缩微型球状引脚栅格阵列封装,Tessera, Inc.公司开发的的一种BGA 芯片封装技术,主要用于高频工作的RDRAM。这种技术能把芯片尺寸做得更小,提高了散热性,使内存条的数据密度增大了。 & w4 m) h: K) m5 ]- U1 N
Non-Composite ) R) A4 E7 a8 g! s: N" D' Y
苹果电脑的内存术语,表示一种采用了新技术的内存条。该内存条上的芯片颗粒很少,但数据密度却非常高。Non-composite 内存条比 composite 内存条工作更可靠,但价格也相对高。
7 L8 t+ D0 _4 L1 z% JPC100
8 ]& w( [. H) L/ j JEDEC 和Intel制定的一种SDRAM内存颗粒(或内存条)技术标准。其中100是指该内存能工作在前端总线(FSB)100MHz的系统中。当初,PC100规范是为配合INTEL推出BX芯片组制定的准则,其规范条款很多,但主要有以下几点: 1、TCK(CLOCK、CYCLE、TIME)内存时钟周期,在100MHZ外频工作时值为10ns; 2、TAC(ACCESS TIME FRONCLK)存取时间小于6ns; 3、PCB必须为六层板,可以滤掉杂波; 4、内存上必须有SPD,SPD一般由内存模组制造商写入,设定内存工作参数。
9 i7 ?3 Q& c, ?& YPC133
$ a0 w% r7 R# X& m5 @ IBM 和Reliance电子公司制定的一种内存芯片(或内存条)技术标准,其中的133指的是该内存工作频率可达133MHz。严格地说,PC133和 PC100内存在制造工艺上没有什么太大的不同,区别只是在制造PC133内存时多了一道"筛选"工序,把内存颗粒中外频超过133 MHz的挑选出来,焊接成高档一些的内存。 . e, `! n8 N, D" G
Pin 4 @% W0 V( C/ i I/ T( K
Pin-针状引脚,内存金手指上的金属接触点。
/ e5 G, q5 v7 f- @* w( {6 k/ E8 PPLB ! G" R1 X/ R: [ u" V) o
PLB (Pipeline Burst Cache)-脉冲突发式缓存,PLB能使第一个脉冲到达处理器之前,四个数据一个接一个的连续传输中有顺序地读写。PLB常用于SRAM,制造计算机的一级和二级缓存。它分为同步与异步两种工作方式。
2 w% w. n& f7 }. tPROM 5 o- K8 d/ ^, h' z
PROM (Programmable Read-Only Memory)-可编程只读存储器,也叫One-Time Programmable (OTP)ROM,是一种可以用程序操作的只读内存。最主要特征是只允许数据写入一次,如果数据烧入错误只能报废。
, {" j* P# ?6 ^2 d' ~- rRAM
: q/ [0 R0 \1 H+ ~; K. D RAM (Random-Access Memory)-随机存取存储器,一种存储单元结构,用于保存CPU处理的数据信息。"随机"(Random)存取是与"顺序(serial)"存取相对而言的,意思是CPU可以从RAM中任意地址中直接读取所需的数据,而不必从头至尾一一查找。 : k O* k6 z& \' w
Rambus DRAM - Q$ w$ T5 R/ x- a( K% E
Rambus DRAM原本是Intel强力推广的未来内存发展方向,其技术引入了RISC(精简指令集),依靠高时钟频率(目前有300MHz、350MHz和 400MHz三种规格)来简化每个时钟周期的数据量。因此其数据通道接口只有16bit(由两条8bit的数据通道组成),远低于SDRAM的 64bit,由于Rambus DRAM也是采用类似于DDR的双速率传输结构,同时利用时钟脉冲的上升与下降沿进行数据传输,因此在300MHz下的数据传输量可以达到300MHz× 16bit×2/8=1.2GB/s,400MHz时可达到1.6GB/s,目前主流的双通道PC800MHz RDRAM的数据传输量更是达到了3.2GB/s。相对于133MHz下的SDRAM的1.05GB/s,确实很有吸引力。 Rambus DRAM的认证机制也较为严格,其认证测试包括DirectRDRAM元件、RIMM模块、RIMM连接器和DirectRDRAM时钟发生器。以确保与 Intel的系统保持百分百的兼容。 ' |4 c0 n V2 d( @9 Q
RAS i. W) K% r! a! U B# G3 ?
RAS (Row Address Strobe)-行地址选通脉冲,在DRAM数据位中,用列地址和行地址的交叉点定位每个单元的存储地址。行地址的选通由RAS控制。 R9 e9 w1 H& @
Registered Memory
, Q8 L. K4 @) }, Y' T& B3 E% B' _ Registered Memory-带寄存器的内存,带有寄存器(register)SDRAM内存条。寄存器可以的作用是:再次推动数据信号通过内存芯片,使内存条上能够焊接更多的芯片。带寄存器(Registered)的内存和不带缓存(unbuffered)的内存不能混用。能否使用带寄存器的内存是由电脑的内存控制器决定的。 5 h( B4 ~) o, y# T, D& [4 x
ROM * H, o _5 Z( G& K
ROM (Read Only Memory)-只读存储器,掉电后数据不丢失的一种存储器,主要用来存放"固件"(Firmware)。主板、显卡、网卡上的BIOS就是一种ROM,因为他们程序和数据的变动概率都很低。
: z. j" K7 `' ? {SDRAM
' G+ q5 |4 S( `) X( j Synchronous DRAM同步动态内存。它与系统总线同步工作,避免了在系统总线对异步DRAM进行操作时同步所需的额外等待时间,可加快数据的传输速度。这是98年流行的一种同步动态内存。它提高读写速率的的基本原理是将CPU和RAM通过一个相同的时钟锁在一起,使得RAM和CPU能够共享一个钟周期,以相同的速度同步工作,从而解决了CPU和RAM之间的速度不匹配问题。
' {0 |: D$ R; I, n" m8 e' zSDRAM
' M# h! c9 B6 \! t: M. ?* p f 自从Pentium时代以来,SDRAM就开始了其不可动摇的霸主地位。这种主体结构一直延续至今。成为市场上无可争议的内存名称的代名词。台式机使用的SDRAM一般为168线的管脚接口,具有64bit的带宽,工作电压为3.3伏,目前最快的内存模块为5.5纳秒。由于其最初的标准是采用将内存与CPU进行同步频率刷新的工作方式,因此,基本上消除了等待时间,提高了系统整体性能。大家都知道CPU的核心频率=系统外部频率×倍频的方式。而内存就是工作在系统的外部频率下,最初的66MHz的外部工作频率严重地影响了系统整体的工作性能,芯片组厂商又陆续制订出100MHz、133MHz系统外频的工作标准。这样SDRAM内存也就有了66MHz(PC66)、100MHz (PC100)和133MHz(PC133)三种标准规格,另外CL值也是衡量内存的一个很重要的标准。某些内存厂商为了满足一些超频爱好者的需求还推出了PC150和PC166内存。 6 f. W: |; k1 ~# B! K2 O
SIMM & n" C# J y- n% S% @
Single-In-line-Menory-Modules,是我们经常用到的一种内存插槽,它是72线结构。如今的内存模块大部分是把若干个内存芯片颗粒集成在一小块电路板上,然后通过SIMM插槽与主板相连。 SIMM 8 R; S8 x" x" ?! C
Single-In-line-Menory-Modules,是我们经常用到的一种内存插槽,它是72线结构。如今的内存模块大部分是把若干个内存芯片颗粒集成在一小块电路板上,然后通过SIMM插槽与主板相连。SIMM(Single In-line Memory Modules),单边接触内存模组。是5X86及其较早的PC中常采用的内存接口方式。在486以前,多采用30针的SIMM接口,而在Pentuim 中更多的是72针的SIMM接口,或者与DIMM接口类型并存。人们通常把72线的SIMM类型内存模组直接称为72线内存。
" \( M* t' X* K2 k) h/ L5 D; @Sync SRAM g( O& R6 f+ N% ]# `
Sync SRAM-同步静态随机存储器,其工作时钟与系统同步,Intel推出的430LX,430NX,430FX等支持奔腾的主板芯片组都支持它。但CPU速度大大提升后,该高速缓存被PB-SRAM取代。 + `# Z% L) o) h9 b2 S
Tag RAM
4 u, O* K' A1 L+ c* H 在主板的Cache附近的一个用来存储高速缓存数据索引地址(Index Address)的RAM,其主要功能是辅助Cache、CPU、芯片组的沟通与存取寻址数据。
* w3 ^5 ]- P+ R; ]+ V8 b, dTiny BGA
0 W) ] E+ B9 q, W, X$ _+ _+ w Tiny BGA(小型球栅阵列封装),Kingmax公司的一项专利技术,属于BGA内存封装技术的一个分支。其芯片面积与封装面积之比约为1:1.4。
8 v; [: v5 \, U' STOSP II : o3 t" j* `" u( R. R! C9 U7 Z
TOSP II(薄型小尺寸封装II),SDRAM内存最为常见的封装形式。但是,随着内存的速度和频率的不断提高,这种封装形式越来越不能满足需要。
# _3 ?9 H" l" c7 KTSOP 7 F4 ?! R( E! w8 l: X
TSOP(Thin Small Out-Line Package)-薄型小尺寸封装,TSOP也是DRAM的一种封装形式,但它的封装厚度只有SOJ的三分之一。TSOP DRAM 被广泛运用于SODIMM和IC卡式内存。
' _. Z- V N' fUnbuffered Memory
. [, W7 ~, h' G. T k6 z7 s7 m Unbuffered Memory(不带缓存的内存),PCB上不带缓存(buffer)或寄存器(register)的内存条。 但是,使用这种内存的电脑主板上要带缓存或寄存器 |
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